Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности магнетосопротивления в перекомпенсированном кремнии, легированном марганцем

Бахадырханов М.К.¹, Мавлонов Г.Х.¹, Илиев Х.М.¹, Аюпов К.С.¹, Саттаров О.Э.¹, Тачилин С.А.¹

¹Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан Tashkent State Technical University, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 11 ноября 2013 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально установлено, что достаточно большое отрицательное магнитосопротивление в кремнии наблюдается не только в компенсированном p-Si<B, Mn>, а также в перекомпенсированном n-Si<B, Mn> с положением уровня Ферми F=E_C-0.35/ E_C-0.55 эВ. Величина, а также температурная область существования отрицательного магнитосопротивления в таких материалах определяется положением уровня Ферми.

М.К. Бахадырханов, Г.Х. Мавлонов, К.С. Аюпов, С.Б. Исамов. ФТП, 44 (9), 1181 (2010)
М.К. Бахадырханов, К.С. Аюпов, Х.М. Илиев, Г.Х. Мавлонов, О.Э. Саттаров. Письма ЖТФ, 36 (16), 11 (2010)
М.К. Бахадырханов, Г.Х. Мавлонов, С.Б. Исамов, Илиев Х.М., К.С. Аюпов, З.М. Сапарниязова, С.А. Тачили. Неорг. матер., 47 (5), 545 (2011)
К.П. Абдурахманов, А.А. Лебедев, Й. Крейсль, Ш.Б. Утамурадова. ФТП, 19 (2), 213 (1985)
М.К. Бахадырханов, Х.М. Илиев, К.С. Аюпов, О.Э. Письма ЖТФ, 29 (17), 8 (2003)
G.W. Ludwig, H.H. Woodbury, R.O. Carlson. J. Phys. Chem. Sol., 8, 490 (1959)
J. Kreissl, W. Gehlhoff. Phys. Status Solidi B, 145, 609 (1988)
Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Ф. Липаев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 40 (5), 519 (2006)
А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. ФТП, 34 (7), 774 (2000)
В.Э. Каминский. ФТП, 36 (11), 1360 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель