Электрические свойства тонкопленочных полупроводниковых гетеропереходов n-TiO2/p-CuInS2
Брус В.В.1, Орлецкий И.Г.1, Илащук М.И.1, Марьянчук П.Д.1
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (кафедра электроники и энергетики), Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 10 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.
Изготовлены анизотипные тонкопленочные гетеропереходы n-TiO2/p-CuInS2 с использованием методов спрей-пиролиза и реактивного магнетронного распыления на постоянном напряжении. Проведен анализ электрических и оптических свойств тонких пленок CuInS2, напыленных методом спрей-пиролиза при строго контролируемых режимах. Также исследованы электрические свойства тылового контакта Мо/CuInS2 с помощью измерений трехзондовым методом. Установлен доминирующий механизм токопереноса в тонкопленочных гетеропереходах n-TiO2/p-CuInS2 при прямом и обратном смещениях, который хорошо интерпретируется в рамках туннельно-рекомбинационной модели с участием поверхностных состояний на гетерогранице и дефектов в области пространственного заряда.
- Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998)
- T.M. Razikov, C.S. Ferekides, D. Morel, E. Stefanakos, H.S. Ullal, H.M. Upadyaya. Sol. Energy, 85, 1580 (2011)
- Y. Yan, Y. Liu, L. Fang, J. Zhu, H. Zhao, D. Li, Z. Lu, S. Zhou. Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 18, 1083 (2008)
- P. Juan Manuel, M. Arturo, O. Mauricio. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 93, 544 (2009)
- A. Goossens, J. Hofhuis. Nanotechnology, 19, 424 018 (2008)
- U. Diebold. Surf. Sci. Reports, 43, 53 (2003)
- V.V. Brus, L.J. Pidkamin, S.L. Abashin, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, O.M. Chugai. Optical Mater., 34, 1940 (2012)
- V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Semicond. Sci. Technol., 27, 055 008 (2012)
- V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, O.A. Parfenyuk. Semicond. Sci. Technol., 28, 015 014 (2013)
- А.И. Мостовой, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, 47, 788 (2013)
- J. Hofhuis, J. Schoonman, A. Goossens. J. Appl. Phys., 103, 014 503 (2008)
- R. O'Hayre, M. Nanu, J. Schoonman, A. Goossens, Q. Wang, M. Gratzel. Adv. Funct. Mater., 16, 1566 (2006)
- В.В. Брус, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, И.Г. Орлецкий, Э.В. Майструк. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 89, 61 (2010)
- К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергоатомиздат, 1985)
- A.R. Riben, D.L. Feucht. Sol. St. Electron., 9, 1055 (1966)
- A.R. Riben, D.L. Feucht. Int. J. Electron., 20, 583 (1966)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук