Вышедшие номера
Электрические свойства тонкопленочных полупроводниковых гетеропереходов n-TiO2/p-CuInS2
Брус В.В.1, Орлецкий И.Г.1, Илащук М.И.1, Марьянчук П.Д.1
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (кафедра электроники и энергетики), Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 10 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Изготовлены анизотипные тонкопленочные гетеропереходы n-TiO2/p-CuInS2 с использованием методов спрей-пиролиза и реактивного магнетронного распыления на постоянном напряжении. Проведен анализ электрических и оптических свойств тонких пленок CuInS2, напыленных методом спрей-пиролиза при строго контролируемых режимах. Также исследованы электрические свойства тылового контакта Мо/CuInS2 с помощью измерений трехзондовым методом. Установлен доминирующий механизм токопереноса в тонкопленочных гетеропереходах n-TiO2/p-CuInS2 при прямом и обратном смещениях, который хорошо интерпретируется в рамках туннельно-рекомбинационной модели с участием поверхностных состояний на гетерогранице и дефектов в области пространственного заряда.