Вышедшие номера
Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO2 структуры кремний-на-изоляторе
Тысченко И.Е.1, Фельсков М.2, Черков А.Г.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт ионно-лучевой физики, Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 16 января 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Исследован ионный синтез нанокристаллов InSb в слое захороненного SiO2 структуры кремний-на-изоляторе. Изучены профили распределения атомов индия и сурьмы после отжига при температуре Ta=500-1100oC. Установлено, что перераспределение имплантированных атомов имеет немонотонный характер в зависимости от температуры отжига. Формирование нанокристаллов InSb происходит при Ta≥800oC вблизи границы Si/SiO2 и на глубине средних пробегов Rp. Анализ профилей имплантированных атомов и структуры и распределения по глубине формирующихся нанокристаллов позволил сделать предположение о двухстадийном характере образования фазы InSb: на первой стадии происходит формирование преципитатов сурьмы, которые играют роль зародышей для дальнейшего стока на них атомов In и Sb.