Лебедев А.А.1, Козловский В.В.1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.
Проводится сравнение радиационной стойкости на примере карбида кремния и кремния. Показано, что одна из основных характеристик радиационной стойкости полупроводника - скорость удаления носителей (Vd), в случае широкозонных полупроводников будет сильно зависеть от условий ее измерения. Сделан вывод, что сравнение величин Vd, полученных при комнатной температуре для Si и SiC, не является полностью корректным с физической точки зрения.
- W.J. Choyke. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 58 (1977)
- A. Hallen, A. Henry, P. Pelligrino, B.G. Swensson, D. Aberg. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 378 (1999)
- B.G. Swensson et al. Mater. Sci. Forum, 353--356, 349 (2001)
- G. Casse. Nucl. Instruments and Meth. Phys. Res. A, 598, 54 (2009)
- J. Metcalfe. Nucl. Phys. B (Proc. Suppl.), 215, 151 (2011)
- A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, N.B. Strokan, D.V. Davydov, A.M. Ivanov, A.M. Strel'chuk, R. Yakimova. Semiconductors, 36, 1270 (2002)
- 3.J.W. Corbett, J.C. Bourgein. In: Point Defects in Solids (N.Y.--London, Plenium Press, 1975) v. 2, p. 1
- Z. Zolnai, N.T. Son, C. Hallin, E. Janzen. J. Appl. Phys., 96 (4), 2406 (2004)
- J.M. Luo, Z.Q. Zhong, M. Gong, S. Fung, C.C. Ling. J. Appl. Phys. 105, 063 711 (2009)
- G. Alferi, E.V. Monakhov, B.G. Svensson, A. Hallen. J. Appl. Phys., 98, 113 524 (2005)
- M. Weider, T. Frank, G. Pensl, A. Kawasuso, H. Itoh, R. Krause-Rehberg. Physica B, 308--310, 633 (2001)
- G. Alferi, E.V. Monakhov, B.G. Svensson, M.K. Linnarsson. J. Appl. Phys., 98, 043 518 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.