Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О сравнении радиационной стойкости кремния и карбида кремния

Лебедев А.А.¹, Козловский В.В.¹

¹Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 марта 2014 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проводится сравнение радиационной стойкости на примере карбида кремния и кремния. Показано, что одна из основных характеристик радиационной стойкости полупроводника - скорость удаления носителей (V_d), в случае широкозонных полупроводников будет сильно зависеть от условий ее измерения. Сделан вывод, что сравнение величин Vd, полученных при комнатной температуре для Si и SiC, не является полностью корректным с физической точки зрения.

W.J. Choyke. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 58 (1977)
A. Hallen, A. Henry, P. Pelligrino, B.G. Swensson, D. Aberg. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 378 (1999)
B.G. Swensson et al. Mater. Sci. Forum, 353--356, 349 (2001)
G. Casse. Nucl. Instruments and Meth. Phys. Res. A, 598, 54 (2009)
J. Metcalfe. Nucl. Phys. B (Proc. Suppl.), 215, 151 (2011)
A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, N.B. Strokan, D.V. Davydov, A.M. Ivanov, A.M. Strel'chuk, R. Yakimova. Semiconductors, 36, 1270 (2002)
3.J.W. Corbett, J.C. Bourgein. In: Point Defects in Solids (N.Y.--London, Plenium Press, 1975) v. 2, p. 1
Z. Zolnai, N.T. Son, C. Hallin, E. Janzen. J. Appl. Phys., 96 (4), 2406 (2004)
J.M. Luo, Z.Q. Zhong, M. Gong, S. Fung, C.C. Ling. J. Appl. Phys. 105, 063 711 (2009)
G. Alferi, E.V. Monakhov, B.G. Svensson, A. Hallen. J. Appl. Phys., 98, 113 524 (2005)
M. Weider, T. Frank, G. Pensl, A. Kawasuso, H. Itoh, R. Krause-Rehberg. Physica B, 308--310, 633 (2001)
G. Alferi, E.V. Monakhov, B.G. Svensson, M.K. Linnarsson. J. Appl. Phys., 98, 043 518 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель