Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
К вопросу о температурной делокализации носителей заряда в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 25 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.
Исследовано явление температурной делокализации в полупроводниковых лазерах на основе симметричных и асимметричных гетероструктур раздельного ограничения, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длина волны излучения lambda=1060 нм). Экспериментальные и расчетные оценки показывают, что концентрация носителей заряда в волноводе возрастает на порядок при увеличении температуры полупроводникового лазера на ~100oС. Установлено, что рост температуры активной области ведет к усилению температурной делокализации как электронов, так и дырок. Показано, что делокализация дырок начинается при более высоких температурах, чем делокализация электронов. Экспериментально установлено, что начало температурной делокализации зависит от пороговой концентрации носителей заряда в активной области лазера при комнатной температуре. Установлено, что увеличение энергетической глубины активной области посредством выбора материала волновода позволяет полностью подавить процесс температурной делокализации вплоть до 175oС.
- H. Wenzel. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 19 (5), 1502913 (2013)
- В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, Г.И. Рябцев, А.С. Смаль, М.А. Щемелев, Д.А. Винокуров, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (10), 1339 (2012)
- A. Malag, E. Dabrowska, M. Teodorczyk, G. Sobczak, A. Kozlowska, J. Kalbarczyk. IEEE J. Quantum Electron., 48 (4), 465 (2012)
- P. Crump, G. Erbert, H. Wenzel. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 19 (4), 1501211 (2013)
- A. Pietrzak, P. Crump, H. Wenzel, G. Erbert, F. Bugge, G. Trankle. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 17 (6), 1715 (2011)
- T. Morita, T. Nagakura, K. Torii, M. Takauji, J. Maeda, M. Miyamoto, H. Miyajima, H. Yoshida. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 19 (4), 1502104 (2013)
- P. Crump, G. Blume, K. Paschke, R. Staske, A. Pietrzak, U. Zeimer, S. Einfeldt, A. Ginolas, F. Bugge, K. Hausler, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. Proc. SPIE, 7198, 9 (2009)
- И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (9), 1230 (2012)
- И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Н.А. Рудова, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, К.В. Бахвалов, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (9), 1234 (2012)
- Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, И.С. Шашкин, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Подоскин, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (10), 1411 (2010)
- N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1413 (2004)
- П.В. Булаев, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин, Д.Н. Николаев, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, А.Д. Бондарев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (9), 1144 (2002)
- З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 45, 1553 (2011)
- M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
- З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. Квантовая электроника, 46, 428 (2013)
- Л.В. Асрян. Квантовая электроника, 35, 1117 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
