Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Транспорт заряда в нанокомпозитных структурах кремний-SiО₂, кремний-ТiО₂

Милованов Ю.С.¹, Кузнецов Г.В.¹, Скрышевский В.А.¹, Стюпан С.М.¹

¹Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина Taras Shevchenko National University of Kyiv, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 17 декабря 2013 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты экспериментальных исследований дисперсных нанокомпозитных систем кремний-SiО₂ и кремний-ТiО₂, отличающихся физико-химическими и диэлектрическими свойствами оксидных компонентов. Параметры нанокомпозитных структур исследованы методами ИК-спектроскопии и импеданс-спектроскопии. Показано, что механизмы прохождения носителей заряда в таких структурах определяются как свойствами нанокристаллитов кремния и соответствующего оксида, так и процессами взаимодействия на межзеренных границах.

P. Bettotti, M. Cazzanelli, L. D. Negro, B. Danese, Z.Gaburro, C.J. Oton, G.V. Prakash, L. Pavesi. J. Phys.: Condens. Matter., 14, 8253 (2002)
L. Pavesi. Materials Today, 18 (2005)
X.X. Wang, J.G. Zhang, L. Ding, B.W. Cheng, W.K. Ge, J.Z. Yu, Q.M. Wang. Phys. Rev. B, 72, 195 313 (2005)
K. Seino, F. Bechstedt, P. Kroll. Nanotechnology, 20, 135 702 (2009)
A.Yu. Karlash, G.V. Kuznetsov, V.A. Skryshevsky, A.I. Tsiganova, Yu.E Zakharko. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 335 405 (2010)
L. Miao, P. Jin, K. Kaneko et al. Mater. Chem. Phys., 114 (1), 217 (2009)
S.I. Rembeza, N.N. Kosheleva, E.S. Rembeza, T.V. Svistova, Yu.V. Shmatova, Gang Xu. Semiconductors, 45 (5), 612 (2011)
M.Р. Fedotova, G.A. Voronov, E.Y. Emel'yanova, N.I. Radishevskaya, O.V. Vodyankina. J. Phys. Chem., 83 (8), 1371 (2009)
А.Yu. Karlach, G.V. Kuznetsov, S.V. Litvinenko, Yu.S. Milovanov, V.A. Skryshevsky. Semiconductors, 44 (10), 1387 (2010)
A.U. Limaye, J.J. Helble. J. Amer. Ceram. Soc., 86 (2), 273 (2003)
И.Я.Сулим, Н.В. Борисенко, В.М. Гунько. Химия, физика и технология поверхности, 14, 391 (2008)
A.A. Gorban, S.А. Synyakyna, S.V. Gorban, I.А. Danilenko, T.E. Konstantinova. Nanosystems, Nanomater. Nanotechnol., 7 (4), 1195 (2009)
A.V. Ershov, D.I. Tetelbaum, I.A. Chugrov, A.I. Mashin, A.N. Mikhaylov, A.V. Nezhdanov, A.A. Ershov, I.A. Karabanova. Semiconductor, 45 (6), 747 (2011)
G. Cantele, E. Degoli, E. Luppi, R. Magri, D. Ninno, O. Bisi, S. Ossicini, G. Iadonisi. Phys. Status Solidi C, 2, 3263 (2005)
M. Nogami, R. Nagao, Cong Wong. J. Phys. Chem. B, 102, 5772 (1998)
Chao Cao, Yao He, J. Torras, E. Deumens, S.B. Trickey, Hai-Ping Cheng. J. Chem. Phys., 126, 211 (2007)
L. Glasser. Chem. Rev., 75 (1), 21 (1975)
Ed.E. Barsoukov, J.R. Macdonald. Impedance spectroscopy: theory, experiment, and applications (N.Y., Willey 2005)
A.J. Bard, L.R. Faulkner. Electrochemical methods. Fundamentals and applications (N.Y.: Willey, 2001)
B. Stuart. Infrared Spectroscopy: Fundamentals and Applications (N.Y., Willey, 2004)
V.P. Tolstoy, I.V. Chernyshova, V.A. Skryshevsky. Handbook of infrared spectroscopy of ultrathin films (N.Y., Willey, 2003)
S.A. Alekseev, L V. Gulina, G.V. Kuznetsov, S.V. Litvinenko, V.V. Lysenko, V.А. Skryshevsky, V.Р. Tolstoy, D. Barbier, E. Garrone, F. Geobaldo, A. Venturello. Intern. J. Hydrogen Energy, 35, 6773 (2010)
Th. Dittrich, V. Zinchuk, V. Skryshevsky, I. Urban, O. Hilt. J. Appl. Phys., 98, 104 501 (2005)
I.V. Antonova, V.A. Skuratov, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Semiconductors, 44 (4), 501 (2010)
O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. Surf. Sci. Reports, 38, 1 (2000)
Р.В. Плетнев [и др.] (М., Наука, 1986)
R. Tromp, G.W. Rubloff, P. Balk, F.K. LeGoues. Phys. Rev. Lett., 55 (21) 2332 (1985)
A. Zenkevich, Yu. Lebedinskii, G. Scarel, M. Fanciulli, A. Baturin, N. Lubovin. Microelectron. Reliab., 47, 657 (2007)
N. Daldosso, G. Das, S. Larcheri et al. J. Appl. Phys., 101 (11), 113 510 (2007)
А.И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии (М., Физматлит, 2005)
Mao-Hua Du, A. Kolchin, Hai-Ping Chenga. J. Chem. Phys., 119 (131), 6418 (2003)
E.A. Agafonova, M.N. Martyshov, P.A. Forsh., V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov. Semiconductors, 44 (3), 367 (2010)
N.N. Kononov, S.G. Dorofeev, A.A. Ishchenko, R.A. Mironov, V.G. Plotnichenko, E.M. Dianov. Semiconductors, 45 (8), 1068 (2011)
N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, D. Aleinikova. Phys. Solid State, 53 (3), 462 (2011)
V.G. Golubev, L.E. Morozova, A.B. Pevtsov, N.A. Feoktistov. Semiconductors, 33 (1), 75 (1999)
Е.Н. Лукьянова, С.Н. Козлов. Письма ЖТФ, 27 (11), 1 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель