Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.
Выполнено исследование фотолюминесценции с временным разрешением квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs в условиях мощного импульсного возбуждения, которое дало возможность в начальные моменты времени после возбуждения наблюдать особенности на спектре фотолюминесценции, соответствующиe как переходам между основными, так и между возбуждeнными состояниями двух туннельно-связанных ям, которые не видны при интегральных измерениях спектров фотолюминесценции. Показано, что высокий уровень накачки приводит к сильному разогреву электронного газа в начальный момент времени, что и позволяет наблюдать межзонные переходы не только между основными, но и между возбужденными состояниями. Характерное время остывания неравновесных носителей составляло ~125 пс.
- S. Adachi. J. Appl.Phys., 58, R1 (1985)
- L. Kappei, J. Szczytko, F. Morier-Genoud, B. Deveaud. Phys. Rev. Lett., 94, 147 403 (2005)
- K.W. Sun, T.S. Song, C.-K. Sun, J.C. Wang, S.Y. Wang, C.P. Lee. Physica B, 272, 387 (1999)
- W.H. Knox, C. Hirliman, D.A.B. Miller, Jagdeep Shah, D.S. Chemla, C.V. Shank. Phys. Rev. Lett., 56, 1191 (1986)
- M.S. Vitiello, G. Scamarcio, V. Spagnolo, B.S. Williams, S. Kumar, Q. Hu, J.L. Reno. Appl. Phys. Lett., 86, 111 115 (2005)
- Ю.Г. Садофьев, N. Samal, В.И. Козловский. Тр. XV Междунар. Симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, Россия, 2011) т. 2, с. 522
- Д.И. Крыжков, С.В. Морозов, Д.М. Гапонова, С.М. Сергеев, Д.И. Курицын, К.В. Маремьянин, В.И. Гавриленко, Ю.Г. Садофьев. ФТП, 46, 1440 (2012)
- J. Shah. In: Spectroscopy of nonequilibrium electrons and phonons, ed. by C.V. Shank, B.P. Zakharchenya [Ser. Modern problems in condensed matter sciences, ed. by V.M. Agranovich, A.A. Maradudin (Elsevier Science, Netherlands, 1992) v. 35, p. 57]
- L.E. Vorobjev, V.I. Stafeev, A.V. Shturbin. Phys. Status Solidi b, 53, 47 (1972)
- Л.Е. Воробьев, Ф.И. Осокин, В.И. Стафеев, А.В. Штурбин. ФТП, 8, 1281 (1974)
- Л.Е. Воробьев. ФТП, 8, 1291 (1974)
- K. Hess, G.J. Iafrate. In: Hot-Electron Transport in Semiconductors, ed. by L. Reggiani (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg, 1985) chap. 7
- B.K. Ridley. In: Hot Carriers in Semiconductor Nanostructures: Physics and Applications, ed. by J. Shah (Academic Press Inc., USA, 1992) chap. 2
- R. Gupta, N. Balcan, B.K. Ridley. Semicond. Sci. Technol., 7, B274 (1992)
- Л.Е. Воробьев, В.Ю. Паневин, Н.К. Федосов, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, S. Hanna, A. Seilmeier, Kh. Moumanis, F. Julien, А.Е. Жуков, В.М. Устинов. ФТП, 46, 119 (2004)
- Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, М.Е. Левинштейн, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах (СПб., Наука, 2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
