Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структура и оптические свойства тонких пленок Al2O3, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.
Методами структурного анализа и оптической спектроскопии исследованы свойства ультратонких пленок Al2O3, полученных на установке ионно-плазменного распыления. Удалось показать, что используемый технологический метод позволяет получать аморфные, гладкие, ультратонкие пленки, беспористые и практически однородные, с зарождающимися в них кристаллами alpha-фазы оксида алюминия Al2O3. При этом пленки отлично пропускают оптическое излучение в инфракрасном, видимом, ультрафиолетовом диапазонах и потенциально значимы для создания на их основе просветляющих покрытий зеркал мощных полупроводниковых лазеров на основе AIIIBV.
- K. Uchida, S. Bhunia, N. Sugiyama, M. Furiya, M. Katoh, S. Katoh, S. Nozaki, H. Morisaki. J. Cryst. Growth, 248, 124 (2003)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013)
- Э.П. Домашевская, Н.Н. Гордиенко, Н.А. Румянцева, П.В. Середин, Б.Л. Агапов, Л.А. Битюцкая, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (9), 1086 (2008) [Semiconductors, 42 (9), 1069 (2008)]
- П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (11), 1489 (2011) [Semiconductors, 45 (11), 1433 (2011)]
- П.В. Середин, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, T. Prutskij. ФТП, 47 (1), 3 (2013) [Semiconductors, 47 (1) (2013)]
- П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (4), 488 (2011) [Semiconductors, 43 (4), 1610 (2009)]
- П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, И.А. Журбина. ФТП, 44 (2), 194 (2010) [Semiconductors, 4, 184 (2010)]
- H.C. Lin, P.D. Ye, G.D. Wilk. Appl. Phys. Lett., 87, 182 904 (2005)
- Y. Xuan, Y.Q. Wu, H.C. Lin, T. Shen, Peide D. Ye. IEEE Electron. Dev. Lett., 28, 935 (2007)
- C.-W. Cheng, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 96, 202 101 (2010)
- K. Siddhartha Dradhan. Surf. Coat. Technol., 76, 382 (2004)
- T.C. Chou, T.G. Nieh, S.D. McAdams, G.M. Pharr. Scripta Met., 25, 2203 (1991)
- А.Л. Борисова, Д.И. Адеева, В.Н. Сладкова. Автомaт. сварка, 9, 26 (1997)
- Л.А. Крушинская, Я.А. Стельмах. Вопр. атомной науки и техники. Сер.: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники, N 19, 92 (2011)
- В.В. Тесленко-Пономаренко. Вопр. атомной науки и техники. Сер.: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники, N 13, 175 (2003)
- П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (12), 1654 (2009) [Semiconductors, 43, 1610 (2009)]
- П.В. Середин, Э.П. Домашевская, А.Н. Лукин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (9), 1072 (2008) [Semiconductors, 42 (9), 1055 (2008)]
- Frantiv sek Pechar. Cryst. Res. Technol., 20, 239 (1985)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (M., Наука, 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
