На основе гетероструктур InGaAsP/InP созданы мощные светодиоды с диаметром мезы 100, 200 и 300 мкм. Форма мез близка к форме усеченного конуса с наклоном образующей ~45^o в окрестности активной области светодиода, при этом вытравленное вокруг мезы кольцо служит отражателем. Исследованы спектры и диаграммы направленности излучения таких светодиодов в широком интервале плотностей тока и показано, что излучательная рекомбинация преобладает вплоть до плотности тока ~5000 А/см², что делает эти структуры перспективными для создания мощных светодиодов. Получена в непрерывном режиме мощность излучения ~14 мВт (I=0.2 А, lambda=1.1 мкм), а в импульсном режиме 77 мВт (I=2 А, lambda=1.1 мкм), что соответствует внешнему квантовому выходу излучения 6.2 и 3.4 соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.