Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Выращивание гетероэпитаксиальных структур EuO/Si и EuO/SrO/Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Тетерин П.Е.¹, Аверьянов Д.В.^1,2, Cадофьев Ю.Г.^1,3, Парфенов О.Е.¹, Лихачев И.А.¹, Сторчак В.Г.¹

¹Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

³Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Эпитаксиальные пленки EuO толщиной до 60 нм были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии как непосредственно на Si(001), так и с использованием буферного слоя SrO. Контроль кристаллического состояния пленок проводился in situ с помощью дифракции быстрых электронов. Высокое кристаллическое совершенство полученных пленок установлено ex situ методами рентгеновской дифрактометрии и обратного резерфордовского рассеяния.

P.G. Steeneken, L.H. Tjeng, I. Elfimov, G.A. Sawatzky, G. Ghiringhelli, N.B. Brookes, D.-J. Huang. Phys. Rev. Lett., 88, 047 201 (2002)
J. Lettieri, V. Vaithyanathan, S.K. Eah, J. Stephens, V. Sih, D.D. Awschalom, J. Levy, D.G. Schlom. Appl. Phys. Lett., 83, 975 (2003)
J. Lettieri, J.H. Haeni, D.G. Schlom. J. Vac. Sci. Technol. A, 20, 1332 (2002)
A. Schmehl, V. Vaithyanathan, A. Herrnberger, S. Thiel, C. Richter, M. Liberati, T. Heeg, M. Rockerath, L.F. Kourkoutis, S. Muhlbauer, P. Boni, D.A. Muller, Y. Barash, J. Schubert, Y. Idzerda, J. Mannhart, D.G. Schlom. Nature Materials, 6, 882 (2007)
C. Caspers, M. Muller, A.X. Gray, A.M. Kaiser, A. Gloskovskii, C.S. Fadley, W. Drube, C.M. Schneider. Phys. Rev. B, 84, 205 217 (2011)
R. Sutarto, S.G. Altendorf, B. Coloru, M. Moretti Sala, T. Haupricht, C.F. Chang, Z. Hu, C. Schub ler-Langeheine, N. Hollmann, H. Kierspel, H.H. Hsieh, H.-J. Lin, C.T. Chen, L.H. Tjeng. Phys. Rev. B, 79, 205 318 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель