Вышедшие номера
Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в p-Si:B
Козлов Д.В., Морозов С.В., Румянцев В.В., Тузов И.В., Кудрявцев К.Е.1, Гавриленко В.И.
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

В работе представлена теоретическая модель, развитая для интерпретации результатов измерений релаксации примесной фотопроводимости в p-Si:B при импульсном оптическом возбуждении узкополосным перестраиваемым источником излучения в "греющих" (10-500 В/см) электрических полях. Модель учитывает захват дырок на основное и нижнее возбужденное состояния бора с испусканием оптического фонона. Показано, что при учете этих процессов зависимость времени релаксации фотопроводимости от величины электрического поля может быть немонотонной.