Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в p-Si:B
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.
В работе представлена теоретическая модель, развитая для интерпретации результатов измерений релаксации примесной фотопроводимости в p-Si:B при импульсном оптическом возбуждении узкополосным перестраиваемым источником излучения в "греющих" (10-500 В/см) электрических полях. Модель учитывает захват дырок на основное и нижнее возбужденное состояния бора с испусканием оптического фонона. Показано, что при учете этих процессов зависимость времени релаксации фотопроводимости от величины электрического поля может быть немонотонной.
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, М.А. Одноблюдов, В.П. Синис, Е.Г. Чиркова, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 115 (1), 89 (1999)
- H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, V.N. Shastin. Semicond. Sci. Technol., 20, 211 (2005)
- В.В. Румянцев, С.В. Морозов, К.Е. Кудрявцев, В.И. Гавриленко, Д.В. Козлов. ФТП, 46 (11), 1414 (2012)
- В.В. Румянцев, С.В. Морозов, К.Е. Кудрявцев, В.И. Гавриленко, Д.В.Козлов. ФТП, 47 (11), 1472 (2013)
- Э.Э. Годик, Ю.А. Курицын, В.П. Синис. ФТП, 12, 351 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
