Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Образование "квазимолекул" S2 в кремнии, легированном серой
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 9 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.
Исследована кинетика образования комплекса S2 в кремнии, легированном серой. Показано сходство процесса образования "квазимолекул" халькогена в Si : S и Si : Se. Разница состоит в величине энергии связи в "квазимолекуле" - для S2 она в 1.5 раза ниже, чем для комплекса Se2.
- E. Janzen, R. Stedman, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 29, 1907 (1984)
- S.D. Brotherton, M.J. Kling, G.J. Parker. J. Appl. Phys., 52, 4649 (1981)
- А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 32, 1306 (1998)
- А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 36, 641 (2002)
- Yu.A. Astrov, L.M. Portsel, A.N. Lodygin, V.B. Shuman. Semicond. Sci. Technol., 26, 055 021 (2011)
- Ю.А. Астров, S.A. Lynch, В.Б. Шуман, Л.М. Порцель, А.А. Махова, А.Н. Лодыгин. ФТП, 47, 211 (2013).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
