Рассеяние электронов в Delta1-модели зоны проводимости монокристаллов германия
Лунев С.В.1, Бурбан О.В.1, Назарчук П.Ф.1
1Луцкий национальный технический университет, Луцк, Украина
Поступила в редакцию: 28 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.
Исследовано рассеяние электронов в возможных Delta1-моделях зоны проводимости кристаллов германия, созданных гидростатическим или одноосным давлением. На основании теории анизотропного рассеяния получены температурные зависимости параметра анизотропии времен релаксации и подвижности электронов для этих моделей в условиях рассеяния на ионах примеси, акустических и междолинных фононах. Анализ температурных зависимостей указывает, что в температурном интервале 77-300 K существенным становится междолинное рассеяние. Только для Delta1-модели, созданной одноосным давлением вдоль кристаллографического направления [100], рассеяние электронов на междолинных фононах, которые соответствуют g-переходам, является второстепенным по отношению к рассеянию на акустических фононах (внутридолинное рассеяние) и ионах примеси.
- А.А. Selesniov, А.Y. Aleinikov, P.V. Ermakov, N.S. Ganchuk, S.N. Ganchuk, R.E. Jones. Phys. Sol. St., 54 (3), 436 (2012)
- S.W. Leman, S.A. Hertel, P. Kim, B. Cabrera, E. Do Couto E Silva, E. Figueroa-Feliciano, K.A. McCarthy, R. Resch, B. Sadoulet, K.M. Sundqvist. J. Low Temp. Phys., 166, 1106 (2012)
- А.П. Оксанич, В.В. Малеванный. Вестн. Кременчуг. нац. ун-та им. М. Остроградского, 78 (1), 18 (2013)
- Kobayashi Masaharu, Irisawa, Toshifumi, Magyari-Kope, Blanka, Saraswat Krishna, Hon-Sum Philip Wong, Nishi Yo-shio. Electron Dev., 57 (5), 1037 (2010)
- M. Kobayashi, T. Irisawa, B.M. Kope, Yun Sun, K. Saraswat, H.-S.P. Wong, P. Pianetta, Y. Nishi. VLSI Technology, (2009) p. 76
- Choi Youn Sung, Lim Ji-Song, Numata Toshinori, Nishida Toshikazu, E.S. Thompson. J. Appl. Phys., 102 (10), 104 507 (2007)
- J. Greil, A. Lugstein, C. Zeiner, G. Strasser, E. Bertagnolli. Nano Lett., 12, 6230 (2012)
- C. Jacoboni, F. Nava, C. Canali, G. Ottaviani. Phys. Rev. B, 24, 1014 (1981)
- С.В. Лунев, П.Ф. Назарчук, О.В. Бурбан. Матер. 6-й Междунар. науч. конф. РНАОПМ (Украина, Луцк, 2012) c. 42
- S.V. Luniov, P.F. Nazarchuk, O.V. Burban. Semiconductors, 48 (4), 438 (2014)
- W. Fawcett, E.G.S. Paige. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 4, 1801 (1971)
- C. Herring, E. Vogt. Phys. Rev., 101 (3), 944 (1956)
- П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский, В.В. Коломоец. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1977) c. 269
- S.V. Luniov, P.F. Nazarchuk, O.V. Burban. J. Phys. Study, 3, 3702 (2013)
- C.N. Ahmad, A.R. Adams. Phys. Rev. B, 34, 2319 (1986)
- Г.Л. Бир. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) c. 584
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук