Спектрометрия ионного рассеяния и комбинационное рассеяние света в монокристаллах GaS, подвергнутых облучению водородом с энергией 140 кэВ
Гарибов А.А.1, Мадатов Р.С.1,2, Комаров Ф.Ф.3, Пилько В.В.3, Мустафаев Ю.М.1, Ахмедов Ф.И.1, Джахангиров М.М.1
1Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Национальная авиационная академия, Баку, Азербайджан
3ИТЦК "Нанотехнологий и физической электроники" Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 30 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.
Методами комбинационного рассеяния света и резерфордовского обратного рассеяния исследована степень структурного беспорядка слоистых кристаллов GaS до и после имплантации водородом (H+2) с энергией 140 кэВ. Показано, что распределение компонентов кристалла по глубине однородно и до доз 5· 1015 см-2 стехиометрический состав компонентов соединения соблюдается. Экспериментальное значение критической дозы начала аморфизации составляет около 5· 1015 см-2 и находится в соответствии с вычисленным значением. Результаты, полученные методом комбинационного рассеяния света, подтверждают сохранение кристалличности структуры и начала процесса аморфизации.
- А.З. Абасова, Р.С. Мадатов, В.И. Стафеев. Радиационно-стимулированные процессы в халькогенидных структурах (Баку, ЭЛМ, 2010) с. 352
- R.S. Madatov, T.B. Tagiyev, A.I. Najafov, I.F. Gabulov, Sh.P. Shekili. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 9, (2), 8 (2006)
- Р.С. Мадатов, А.I. Наджафов, Т.Б. Тагиев, Ш.П. Шекили. Неорг. матер., 44 (4), 396 (2008)
- В.В. Соболев. Зоны и экситоны халькогенида галлия, индия и таллия (Кишинев, Шитиница, 1982) c. 272
- В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981) с. 264
- Ю.П. Гнатенко, З.Д. Ковалюк, П.А. Скубенко. УФЖ, 27 (6), 838 (1982)
- Г.Л. Беленький, Э.Ю. Салаев, Р.А. Сулейманов. УФН, 155 (1), 89 (1988)
- А.Г. Казымзаде, А.А. Агаева, В.В. Салманов, А.Г. Мохтари. ЖТФ, 77 (12), 80 (2007)
- З.Д. Ковалюк, П.Г. Литовченко, О.А. Политанская, О.Н. Сидор и др. ФТП, 41 (5), 570 (2007)
- Ф.Ф. Комаров. Ионная и фотонная обработка материалов (Минск, Белорус. гос. ун-т, 1998) с. 209
- Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация (М., Наука, 1983) с. 360
- www.simnra.software.informer.com/6.0/
- N.M. Gasanly, A. Aydonlo, H. OEzkan, C. Kocabas. Sol. St. Commun., 116, 147 (2000)
- K. Allakhverdiev, T. Baykara, S. Ellialtioglu, F. Hashimzade, D. Huseinova. Mater. Res. Bulletin, 41 (4), 751 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.