Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Ионная имплантация Er в поликристаллический теллурид кадмия

Ушаков В.В.¹, Клевков Ю.В.¹, Дравин В.А.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 7 октября 2014 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

PDF версия

Исследованы особенности ионной имплантации поликристаллического теллурида кадмия с размерами зерен 20-1000 мкм. Выбор Er для имплантации связан с возможностью использования редких земель в качестве люминесцентных "зондов" при изучении примесно-дефектного состава материалов и его изменении при различных технологических обработках. По данным микрофотолюминесценции обнаружено, что по мере уменьшения размеров кристаллических зерен значительно увеличивается радиационная "стойкость" материала. Микрофотолюминесцентная топография образцов показала эффективность люминесцентного редкоземельного "зонда" для выявления в образцах областей с повышенной концентрацией примесей и дефектов, в том числе мезеренных границ.

P.L. Sellin. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 563 (2006)
D.V. Korbutyak, E.F. Venger, Yu.V. Kryuchenko, E.I. Kuznetsov, A.V. Prokhorovich. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 36, 5 (2001)
Grain Boundaries in Semiconductors ed. by H.J. Leamy, G.E. Pike, V.H. Seager (North-Holland, N.Y.--Amsterdam--Oxford, 1982)
В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981)
A.A. Gippius, V.V. Ushakov, V.N. Yakimkin, V.S. Vavilov. Proc. 6 Int. Confr. on Ion Beam Modification of Materials Tokyo,1988) [ Ion Beam Modification of Materials, ed. by S. Namba, N. Itoh, M. Iwaki (North-Holland, Amsterdam, 1989) p. 492]
A.A. Gippius, V.V. Ushakov, V.M. Konnov. Proc. Int. Confr. on the Science and Technology of Defect Control in Semiconductors (Yokohama, 1989) [ Defect Control in Semiconductors, ed. K. Sumino (North Holland, Amsterdam--N.Y.--Oxford--Tokyo, 1990) v. 1, p. 885
V.V. Ushakov, A.A. Gippius. Proc.1 National Conf. Defects in Semiconductors (St. Petersburg, 1992) [ Defects in Semiconductors, ed. N. Bagraev (Seitec Publ. Ltd., Switzerland, 1993) p. 25]
В.В. Ушаков, Ю.В. Клевков. ФТП, 37 (9), 1067 (2003)
В.В. Ушаков, Ю.В. Клевков. ФТП, 37 (11), 1298 (2003)
В.В. Ушаков, Ю.В. Клевков. ФТТ, 52 (11), 2195 (2010)
J. Morawiec, Z. Golacki. Cryst. Res. Techn., 26, 53 (1991)
C.B. Norris, C.E. Barnes, K.R. Zanio. J. Appl. Phys. 48, 1659 (1977)
G. Brunthaler, W. Jantsch, U. Kaufmann, J. Schneider. J. Phys. C, 1, 1925 (1989)
D.M. Hofmann, P. Omling, H.G. Grimmeiss, B.K. Meyer, K.W. Benz, D. Sinerius. Phys. Rev. B, 45, 6247 (1992)
R. Boyn. Phys. Status Solidi B, 148, 11 (1988)
F.J. Bryant. Rad. Eff., 65, 81 (1982)
C.C. Yu, F.J. Bryant. Phil. Mag., 40, 209 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель