Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптические фононы в многослойных гетероструктурах PbTe/CdTe
1Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия 
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт физики Польской академии наук, 02-668 Варшава, Польша
4Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт физики Польской академии наук, 02-668 Варшава, Польша
4Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.
Измерены коэффициенты отражения наноструктур PbTe/CdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой элитаксии, в интервале частот 20-5000 см-1 при комнатной температуре. Из дисперсионного анализа определены толщины слоев PbTe и CdTe, высокочастотные диэлектрические проницаемости слоев и частоты поперечных оптических (TO) фононов. Обнаружено, что во всех исследуемых образцах существуют две частоты TO фононов, равные 28 и 47 см-1. Первая частота близка к частоте TO фонона объемного PbTe, вторую частоту мы связываем с оптической модой в структурно деформированном слое на интерфейсе. Измерены спектры комбинационного рассеяния света при возбуждении излучением Ar+-лазера с длиной волны 514.5 нм при комнатной и азотной температурах. Обнаружена мода при частоте 106 см-1, которую мы связываем с продольным оптическим (LO) фононом в слое на интерфейсе.
- W. Heiss, H. Groiss, E. Kaufmann, G. Hesser, M. Bobere, G. Springholz, F. Schaffler, R. Leitsmann, F. Bechstedt, K. Koike, H. Horada, M. Yano. J. Appl. Phys., 101, 081 723 (2007)
- W. Heiss, H. Groiss, E. Kaufmann, G. Hesser, M. Boobert, G. Springholz, F. Schuffler, K. Koike, H. Horada, M. Yano. Appl. Phys. Lett., 88, 192 109 (2006)
- R. Leitsmann, L.E. Ramos, F. Bechstedt, H. Groiss, F. Schaffler, W. Heiss, K. Koike, H. Harada, M. Yano. New J. Phys., 8, 317 (2006)
- S. Jin, C. Cai, B. Zhang, H. Wu, G. Bi, J. Si, Y. Zhang. New J. Phys., 14, 113 021 (2012)
- H. Kawamura. In: Proc. Int. Summer School on Narrow Gap Semiconductors, ed. by W. Zawadzki (Berlin, Springer Verlag, 1980) p. 470
- K.L.I. Kobayashi, Y. Kato, K.F. Komatsubara. Prog. Cryst. Growth Charact., 1, 117 (1978)
- M. Szot, L. Kowalczyk, E. Smajek, V. Domukhovski, L. Domagala, E. Lusakowska, B. Taliashvili, P. Dziawa, W. Knoff, M. Wiater, T. Wojtowicz, T. Story. Acta Phys. Polon. A, 114, 1391 (2008)
- P.M. Amirtharaj, B.L. Bean, S. Perkowitz. J. Opt. Soc. Am., 67, 939 (1977)
- W. Theib. The SCOUT through CAOS, Manual of the Windows application SCOUT (1994)
- W. Theib. Surf. Sci. Reports, 29, 91 (1997)
- S. Jin, C. Cai, G. Bi, B. Zhang, H. Wu, Y. Zhang. Phys. Rev. B, 87, 235 315 (2013)
- M. Baleva, L. Bozukov, M. Momtchilova. J. Phys.: Condens. Matter, 4, 4633 (1992)
- M. Baleva, I. Ivanov, M. Momtchilova. J. Phys.: Condens. Matter, 4, 4645 (1992)
- В.А. Володин, М.П. Синюков, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, Е.В. Федосенко. ФТП, 48, 185 (2014)
- T.D. Krauss, F.W. Wise, D.B. Tanner. Phys. Rev. Lett., l76, 1376 (1996)
- Р.Б. Васильев, В.С. Виноградов, С.Г. Дорофеев, С.П. Козырев, И.В. Кучеренко, Н.Н. Новикова. ФТТ, 49, 523 (2007)
- G. Karczewski, M. Szot, S. Krot, L. Kowalczyk, S. Churnutdinow, L.W.S. Schreyeck, K. Brunner, C. Schumacher, L.W. Molenkamp. Nanotechnology (2014), в печати.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
