Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические и электрофизические свойства кремниевых нанопилларов

Голобокова Л.С.¹, Настаушев Ю.В.¹, Дульцев Ф.Н.¹, Крыжановская Н.В.², Моисеев Э.И.², Кожухов А.С.¹, Латышев А.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 24 декабря 2014 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследуются электрические и оптические свойства кремниевых нанопилларов (Si НП). Для создания упорядоченных массивов Si НП используются электронно-лучевая литография и реактивное ионное травление. Формируются Si НП диаметром от 60 до 340 нм и высотой от 218 до 685 нм. Si НП покрывались слоем TiON_x толщиной 8 нм для химической и электрической пассивации поверхности. Сканирующая электронная микроскопия и атомно-силовая микроскопия используются для того, чтобы охарактеризовать полученные структуры. Массивы Si НП при освещении по методу светлого поля" приобретают различные цвета. Получены спектры отражения от массивов Si НП для диапазона длин волн 500-1150 нм.

K.A. Gonchar, L.A. Osminkina, R.A. Galkin, M.B. Gongalsky, V.S. Marshov, V.Y. Timoshenko, M.N. Kulmas, V.V. Solovyev, A.A. Kudryavtsev, V.A. Sivakov. J. Nanoelectron. and Optoelectron. 7 (6), 602 (2012)
G. Jia, T. Arguirov, M. Kittler, Z. Su, D. Yang, J. Sha. ФТП, 41 (4), 407 (2007)
S.M. Wells, I.A. Merkulov, I.I. Kravchenko, N.V. Lavrik, M.J. Sepaniak. ACSNANO, 6 (4), 2948 (2012)
B. Wang, P.W. Leo. Optics Lett., 37, 3756 (2012)
Xiaocheng Li, Junshuai Li, Ting Chen, Beng Kang Tang, Jianxiong Wang, Hongyu Yu. Nanoscale Res. Lett., 5, 1721 (2010)
S. Dominguez, I. Cornago, O. Garcia, M. Ezquer, M.J. Rodriguez, A.R. Lagunas, J. Perez-Conde, J. Bravo. Potonics and nanostructures --- fundamental and applications, 11, 29 (2013)
M. Khorasaninejad, N. Abedzadeh, J. Walia, S. Patchett, S.S. Saini. Nano Lett., 12, 4228 (2012)
L. Cao, P. Fan, E.S. Barnard, A.M. Brown, M.L. Brongersma. Nano Lett., 10, 2649 (2010)
Seo Kwanyong, Munib Wober, Paul Steinvurzel, Ethan Schonbrun, Yaping Dan, Tal Ellenbogen, Kenneth B. Crozier. Nano Lett., 11, 1851 (2011)
А.А. Залуцкая, А.В. Проказников, А.В. Проказников. Нано- и микросистемная техника, 9, 11 (2013)
K.T. Fountaine, W.S. Whitney, H.A. Atwater. J. Appl. Phys., 116, 153 106 (2014)
F.J. Bezares, J.P. Long, O.J. Glembocki, Junpeng Guo, R.W. Rendell, R. Kasica, L.Shirey, J.C. Owrutsky, J.D. Caldwell. Opt. Express, 21, 27 588 (2013)
A.B. Evlyukhin, R.L. Eriksen, Wei Cheng, J. Beermann, C. Reinhardt, A. Petrov, S. Prorok, M. Eich, B.N. Chichkov, S.I. Bozhevolnyi. Sci. Reports, 4, 4126 (2014)
Y.Q. Fu, A. Colli, A. Fasoli, J.K. Luo, A.J. Flewitt, A.C. Ferrari, W.I. Milne. J. Vac. Sci. Technol. B, 27 (3), 1520 (2009)
F.N. Dultsev, S.N. Svitasheva, Yu.V. Nastaushev, A.L. Aseev. Thin Sol. Films, 519, 6344 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель