Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование тройных твердых растворов A^IIIB^V на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения

Васильев В.И.^1,2, Гагис Г.С.¹, Кучинский В.И.^1,3, Данильченко В.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 декабря 2014 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены процессы образования сверхтонких слоев тройных твердых растворов A^IIIB^V за счет подачи паров элементов пятой группы к полупроводниковым пластинам GaAs и GaSb, в приповерхностных областях которых происходят твердофазные реакции замещения. Данный способ позволяет формировать бездефектные слои GaAs_1-xP_x, GaAs_xSb_1-x и GaP_xSb_1-x толщинами 10-20 нм и с содержанием внедряемых компонентов x до 0.04.

М.Б. Паниш, М. Илегемс. Материалы для оптоэлектроники. Сб. статей (М., Мир, 1979) гл. 2, с. 54
G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 27, 21 (1974)
В.П. Васильев, Ж.-К. Гашон. Неорг. Матер., 42, 1293 (2006)
В.И. Васильев, Г.С. Гагис, В.И. Кучинский, В.П. Хвостиков, Е.П. Марухина. ПЖТФ, 39 (10), 49 (2013)
Физические величины. Справочник, под. ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991) с. 255--265
A.S. Jordan. J. Electrochem. Soc., 119 (1), 123 (1972)
V.I. Vasil'ev, G.S. Gagis, K.K. Soboleva, V.I. Kuchinskii. J. Phys.: Conf. Ser., 572, 012 033 (2014)
G.S. Gagis, V.I. Vasil'ev, A.G. Deryagin, V.V. Dudelev, A.S. Maslov, R.V. Levin, B.V. Pushnyi, V.M. Smirnov, G.S. Sokolovskii, G.G. Zegrya, V.I. Kuchinskii. Semicond. Sci. Technol., 23, 125 026 (2008)
J.W. Cahn. Acta Metall., 9, 795 (1961)
V.I. Vasil'ev, I.P. Nikitina, V.M. Smirnov, D.N. Tretyakov. Mater. Sci. Eng. B, 66 (1--3), 67 (1999)
В.И. Васильев, Д. Ахмедов, А.Г. Дерягин, В.И. Кучинский, И.П. Никитина, В.М. Смирнов, Д.Н. Третьяков. ФТП, 33(9), 1134 (1999). [V.I. Vasil'ev, D. Akhmedov, A.G. Deryagin, V.I. Kuchinskii, I.P. Nikitina, V.M. Smirnov, D.N. Tret'yakov. Semiconductors, 33 (9), 1034 (1999)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель