Построена простая аналитическая теория пикосекундного переключения высоковольтных перенапряженных p⁺-i-n⁺-фотодиодов в проводящее состояние при воздействии импульсного освещения. Получены и подтверждены путем численного моделирования соотношения между параметрами структуры, светового импульса, внешней цепи и основными характеристиками процесса - амплитудой импульса тока активной нагрузки, временем задержки и длительностью процесса коммутации. Показано, что необходимая для эффективной коммутации энергия пикосекундного импульса света может быть уменьшена на 6-7 порядков за счет интенсивного лавинного размножения электронов и дырок. Это открывает возможность использования в качестве управляющего элемента оптопары импульсных полупроводников лазеров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.