Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 8 » Статья стр. 1050
<<<>>>
Структурные и фотолюминесцентные свойства нанонитей, формируемых металл-стимулированным химическим травлением монокристаллического кремния различной степени легирования
Георгобиани В.А.1, Гончар К.А.1, Осминкина Л.А.1, Тимошенко В.Ю.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.
PDF версия
Методами электронной микроскопии, комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции исследованы слои кремниевых нанонитей, выращенных металл-стимулированным травлением монокристаллических кремниевых подложек p-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 и 0.001 Omega·см и ориентацией поверхности (100). Установлено, что нанонити, выращенные на слабо легированных подложках, имеют непористую структуру в виде кристаллических остовов, покрытых нанокристаллами с размерами 3-5 нм. Нанонити, выращенные на сильно легированных подложках, имеют пористую структуру и содержат как малые нанокристаллы, так и более крупные кристаллиты с равновесными носителями заряда, которые влияют на межзонную излучательную рекомбинацию. Установлено, что интенсивность фотолюминесценции нанонитей в диапазоне спектра 1.3-2.0 эВ зависит от присутствия молекулярного кислорода.
  1. M.S. Gudiksen, L.J. Lauhon, J. Wang, D.C. Smith, C.M. Lieber. Nature, 415, 617 (2002)
  2. E. Garnett, P. Yang. Nano Lett., 10, 1082 (2010)
  3. V. Sivakov, G. Andra, A. Gawlik, A. Berger, J. Plentz, F. Falk, S.H. Christiansen. Nano Lett., 9, 1549 (2009)
  4. N. Elfstrom, A.E. Karlstrom, J. Linnros. Nano Lett., 8 (3), 945 (2008)
  5. Y. Qu, H. Zhoua, X. Duan. Nanoscale, 3, 4060 (2011)
  6. M.D. Kelzenberg, D.B. Turner-Evans, B.M. Kayes, M.A. Filler, M.C. Putnam, N.S. Lewis, H.A. Atwater. Nano Lett., 8, 710 (2008)
  7. Y. Cui, Q. Wei, H. Park, C.M. Lieber. Science, 293, 1289 (2001)
  8. M. Lv, S. Su, Y. He, Q. Huang, W. Hu, D. Li, C. Fan, S.-T. Lee. Adv. Mater., 22 (48), 5463 (2010)
  9. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
  10. J.E. Allen, E.R. Hemesath, D.E. Perea, J.L. Lensch-Falk, Z.Y. Li, F. Yin, M.H. Gass, P. Wang, A.L. Bleloch, R.E. Palmer, L.J. Lauhon. Nature Nanotechnol., 3, 168 (2008)
  11. V.A. Sivakov, G. Bronstrup, B. Pecz, A. Berger, G.Z. Radnoezi, M. Krause, S.H. Christiansen. J. Phys. Chem. C, 114, 3798 (2010)
  12. M.L. Zhang, K.Qi. Peng, X. Fan, J.S. Jie, R.Q. Zhang, S.T. Lee, N.B. Wong J. Phys. Chem. C, 112, 4444 (2008)
  13. Z. Huang, N. Geyer, P. Werner, J. de Boor, U. Gosele. Adv. Mater., 23, 285 (2011)
  14. V.A. Sivakov, F. Voigt, A. Berger, G. Bauer and S.H. Christiansen. Phys. Rev. B, 82, 125 446 (2010)
  15. V.Yu. Timoshenko, K.A. Gonchar, L.A. Golovan, A.I. Efimova, V.A. Sivakov, A. Dellith, S.H. Christiansen. J. Nanoelectron. Optoelectron., 6, 519 (2011)
  16. К.А. Гончар, Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, В.А. Сиваков, С. Кристиансен. Изв. РАН. Сер. физ., 74, 1782 (2010)
  17. L.A. Osminkina, K.A. Gonchar, V.S. Marshov, K.V. Bunkov, D.V. Petrov, L.A. Golovan, F. Talkenberg, V.A. Sivakov, V.Yu. Timoshenko. Nanoscale Res. Letters., 7, 524 (2012)
  18. К.В. Буньков, Л.А. Головань, К.А. Гончар, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров, M. Kulmas, V. Sivakov. ФТП, 47, 329 (2013)
  19. L.A. Golovan, K.A. Gonchar, L.A. Osminkina, V.Yu. Timoshenko, G.I. Petrov, V.V. Yakovlev. Laser Phys. Lett., 9, 145 (2012)
  20. К.А. Гончар, Л.А. Осминкина, В. Сиваков, В. Лысенко, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 48 (12), 1654 (2014)
  21. K.A. Gonchar, L.A. Osminkina, R.A. Galkin, M.B. Gongalsky, V.S. Marshov, V.Yu. Timoshenko, M.N. Kulmas, V.V. Solovyev, A.A. Kudryavtsev, V.A. Sivakov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 7, 602 (2012)
  22. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Wiley, 1981)
  23. I.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739, (1986)
  24. D. Kovalev, H. Heckler, G. Polisski, F. Koch. Phys. Status Solidi B, 215, 871, (1999)
  25. A.E. Miroshnichenko, S. Flach, Yu.S. Kivshar. Rev. Mod. Phys., 82, 2257 (2010)
  26. П.Ю.М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002) [Пер. с англ.: P.Y. Yu, M. Cardona. Fundamentals of semiconductors: physics and materials properties (Springer-Verlag, Berlin, 1996)]
  27. М.Г. Лисаченко, Е.А. Константинов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 36 (3), 344 (2002)
  28. C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 48, 11 024 (1993)
  29. A.G. Gullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  30. G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, C. Reynaud. Appl. Phys. Lett., 80 (25), 4834 (2002)
  31. П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 30 (8), 1479 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme