Вышедшие номера
Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения для длин волн lambda~ 1550 нм на основе GaSb
Хвостиков В.П.1, Сорокина С.В.1, Солдатенков Ф.Ю.1, Тимошина Н.Х.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

С использованием диффузии из газовой фазы в подложку n-GaSb получены фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения для длины волны lambda=1550 нм. Изготовлены и протестированы под Хе-лампой фотоэлементы площадью S=4, 12.2 и 100 мм2. На лучших образцах с S=12.2 мм2 при плотности тока 8 A/cм2 достигнута монохроматическая (lambda=1550 нм) эффективность eta=34.8%. Проведена оценка стабильности характеристик преобразователя непрерывного лазерного излучения и темпа его деградации при рабочей температуре T~120oС.