Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Создание центров рекомбинации носителей зарядов в сапфировой подложке КНС-структур
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 29 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.
Предложен способ получения высококачественных радиационно стойких КНС-структур при создании слоя наноразмерных пор в сапфире с помощью ионной имплантации гелия, то есть путем создания центров рекомбинации носителей заряда, при этом одновременно улучшается и качество кремниевого слоя. Обсуждается вопрос о термостабильности пор с тем, чтобы на получившемся модифицированном образце КНС можно было создать микросхему. Слой пор, имея большую совокупную поверхность, существенно уменьшает время жизни носителей заряда, генерируемых во время облучения работающей микросхемы, что приводит к уменьшению заряда на границе раздела кремний-сапфир и к повышению радиационной стойкости.
- S.S. Lau, J.W. Mayer, T.W. Sigmon. USA Patent, N 4177084 (1979)
- I. Golecki. USA Patent, N 4588447 (1986)
- M.L. Burgener, R.E. Reedy. USA Patent, N 5416043 (1995)
- П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Нано- и микросистемная техника, 3, 54 (2008)
- П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 43 (5), 627 (2009)
- П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 44 (10), 1433 (2010)
- П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Патент РФ, N 2427941 (2011)
- П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 47 (2), 264 (2013)
- А.А. Шелухин, Ю.В. Балакшин, В.С. Черныш, С.А. Голубков, Н.Н. Егоров, А.И. Сидоров. ФТП, 48 (4), 535 (2014)
- В.М. Воротынцев, Е.Л. Шолобов, В.А. Герасимов. ФТП, 45 (12), 1662 (2011)
- П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов. Неопубликованные материалы
- S. Yerchi, U. Serincan, I. Dogan, S. Tokay, M. Genisel, A. Aydinli, R. Turan. J. Appl. Phys., 100 (7), 074 301 (2006)
- S. Yerchi, M. Kulaksi, U. Serincan, M. Barozzi, M. Bersani, R. Turan. J. Appl. Phys., 102 (2),024 309 (2007)
- C.J. Park, Y.H. Kwon, Y.H. Lee, T.W. Kang, H.Y. Cho, S.Kim, S.H. Choi, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett., 84 (14), 2667 (2004)
- W.T. Spratt, M. Huang, C. Jia, L. Wang, V.K. Kamineni, A.C. Diebold, H. Xia. Appl. Phys. Lett., 99 (11), 111 909 (2011)
- М.И. Гусева, Ю.В. Мартыненко. УФН, 13 (4), 671 (1981)
- C.C. Griffioen, J.H. Evans, P.C. de Jong, A. van Veen. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 27 (3), 417 (1987)
- H. Trinkaus, B. Hollander, St. Rongen, S. Mantl, H.-J. Herzog, J. Kuchebecker, T. Hackbarth. Appl. Phys. Lett., 76 (24), 32 (2000)
- J. Cai, P.M. Mooney, S.H. Christiansen, H. Chen, J.O. Chu, J.A. Ott. J. Appl. Phys., 95 (10), 5347 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
