Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 9 » Статья стр. 1217
<<<>>>
Люминесценция свежевведенных a-винтовых дислокаций в низкоомном GaN
Медведев О.С.1, Вывенко О.Ф.1, Бондаренко А.С.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.
PDF версия
Методом катодолюминесценции в растровом электронном микроскопе установлено, что прямолинейные сегменты a-винтовых дислокаций, введенных пластической деформацией при комнатной температуре в специально не легированный низкоомный нитрид галлия, люминесцируют в спектральной области 3.1-3.2 эВ при 70 K. Спектральный состав дислокационной люминесценции характеризуется тонкой дублетной структурой с шириной компонент ~15 мэВ и величиной расщепления ~30 мэВ, сопровождающихся LO-фононными повторениями. Люминесцирующие винтовые дислокации двигаются под действием электронного луча и при низких температурах, но сохраняют неподвижность в течение длительного времени в отсутствие внешнего возбуждения. Оптические переходы с участием состояний квантовой ямы дефекта упаковки в расщепленном ядре дислокаций рассматриваются как наиболее вероятный механизм наблюдаемого явления.
  1. E.A. Steinman, H.G. Grimmeiss. Semicond. Sci. Technol., 13 (1), 124 (1998)
  2. A.N. Izotov, A.I. Kolyubakin, S.A. Shevchenko, E.A. Steinman. Phys. Status Solidi A, 130 (1), 193 (1992)
  3. V.D. Negrii. J. Appl. Phys., 74 (11), 7008 (1993)
  4. O. Vyvenko, A. Zozime. Mater. Sci. Eng. B, 24, 105 (1994)
  5. H. Rii, T. Hidekazu, T. Michio, M.I. Kohei, M. Koji. Appl. Phys. Express, 6 (1), 011 301 (2013)
  6. Y.G. Shreter, Y.T. Rebane, T.J. Davis, J. Barnard, M. Darbyshire, J.W. Steeds, W.G. Perry, M.D. Bremser, R.F. Davis. Mater. Res. Soc., 449, 683 (1997)
  7. M. Albrecht, A. Cremades, J. Krinke, S. Christiansen, O. Ambacher, J. Piqueras, H.P. Strunk, M. Stutzmann. Phys. Status Solidi B, 216, 409 (1999)
  8. M. Albrecht, J.L. Weyher, B. Lucznik, I. Grzegory, S. Porowski. Appl. Phys. Lett., 92, 231 909 (2008)
  9. I. Ratschinski, H.S. Leipner, F. Heyroth, W. Franzel, O. Moutanabbir, R. Hammer, M. Jurisch. J. Phys. Conf. Ser., 281, 012 007 (2011)
  10. J. Huang, K. Xu, X.J. Gong, J.F. Wang, Y.M. Fan, J.Q. Liu, X.H. Zeng, G.Q. Ren, T.F. Zhou, H. Yang. Appl. Phys. Lett., 98, 1 (2011)
  11. M.A. Reshchikov, H. Morko c. J. Appl. Phys., 97 (6), 061 301 (2005)
  12. I. Yonenaga, Y. Ohno, T. Yao, K. Edagawa. J. Cryst. Growth, 403, 72 (2014)
  13. M. Albrecht, H.P. Strunk, J.L. Weyher, I. Grzegory, S. Porowski, T. Wosinski. J. Appl. Phys., 92, 2000 (2002)
  14. O. Medvedev, O. Vyvenko, A. Bondarenko, V. Voronenkov. 12th Intern. Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors --- BIAMS 12 (Tsukuba, Japan, 2014) p. MoA4
  15. M. Albrecht, L. Lymperakis, О. Neugebauer. Phys. Rev. B, 241201, 1 (2014)
  16. V. Voronenkov, N. Bochkareva, R. Gorbunov, P. Latyshev, Y. Lelikov, Y. Rebane, A. Tsyuk, A. Zubrilov, Y. Shreter. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 08JE14 (2013)
  17. J. Huang, K. Xu, X.J. Gong, J.F. Wang, Y.M. Fan, J.Q. Liu, X.H. Zeng, G.Q. Ren, T.F. Zhou, H. Yang. Appl. Phys. Lett., 98, 221906 (2011)
  18. I. Ratschinski, H.S. Leipner, F. Heyroth, W. Franzel, O. Moutanabbir, R. Hammer, M. Jurisch. J. Phys. Conf. Ser., 281 (1), 012 007 (2011)
  19. J. Huang, K. Xu, Y.M. Fan, J.F. Wang, J.C. Zhang, G.Q. Ren. Nanoscale Res. Lett., 9, 649 (2014)
  20. M.A. Reshchikov, H. Morko c. J. Appl. Phys., 97, 061 301 (2005)
  21. G. Salviati, M. Albrecht, C. Zanotti-Fregonara, N. Armani, M. Mayer, Y. Shreter, M. Guzzi, Y.V. Melnik, K. Vassilevski, V.A. Dmitriev, H.P. Strunk. Phys. Status Solidi A, 171, 325 (1999)
  22. E. Calleja, M.A. Sanchez-Garcia, F.J. Sanchez, F. Calle, F.B. Naranjo, E. Munoz, U. Jahn, K. Ploog. Phys. Rev. B, 62, 826 (2000)
  23. F. Bertram, J. Christen, M. Schmidt, M. Topf, S. Koymov, S. Fischer, B. Meyer. Mater. Sci. Eng. B, 50, 165 (1997)
  24. N. Grandjean, M. Leroux, M. Laugt, J. Massies. Appl. Phys. Lett., 71, 240 (1997)
  25. A.T. Blumenau, C.J. Fall, J. Elsner, R. Jones, M.I. Heggie, T. Frauenheim. Phys. Status Solidi C, 1709, 1684 (2003)
  26. G. Savini, A.T. Blumenau, M.I. Heggie, S. Oberg. Phys. Status Solidi C, 4, 2945 (2007)
  27. J.L. Farvacque, P. Franc. Phys. B, 274, 995 (1999)
  28. Y.T. Rebane, J.W. Steeds. Phys. Rev. B, 48, 963 (1993)
  29. D. Zakharov, Z. Liliental-Weber, B. Wagner, Z. Reitmeier, E. Preble, R. Davis. Phys. Rev. B, 71, 235 334(2005)
  30. A. Galeckas, J. Linnros, P. Pirouz. Phys. Rev. Lett., 96 (2), 025 502 (2006)
  31. J.D. Caldwell, R.E. Stahlbush, M.G. Ancona, O.J. Glembocki, K.D. Hobart. J. Appl. Phys., 108 (4), 044 503 (2010)
  32. P. Pirouz. Physica Status Solidi A, 210 (1), 181 (2013)
  33. J. Menniger, U. Jahn, O. Brandt, H. Yang, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 69, 836 (1996)
  34. C. Stampfl, C. Van de Walle. Phys. Rev. B, 57, R15052 (1998)
  35. Y.T. Rebane, Y.G. Shreter, M. Albrecht. Phys. Status Solidi A, 164, 141 (1997)
  36. J. Lahnemann, U. Jahn, O. Brandt, T. Flissikowski, P. Dogan, H.T. Grahn. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 423 001 (2014)
  37. R. Liu, A. Bell, F.A. Ponce, C.Q. Chen, J.W. Yang, M.A. Khan. Appl. Phys. Lett., 86, 021 908 (2005)
  38. I. Tischer, M. Feneberg, M. Schirra, H. Yacoub, R. Sauer, K. Thonke, T. Wunderer, F. Scholz, L. Dieterle, E. Muller, D. Gerthsen. Phys. Rev. B, 83, 035 314 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme