Вышедшие номера
XIX симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г. Селективное детектирование УФ-излучения на основе низкоразмерных гетероструктур ZnCdS/ZnMgS/GaP и ZnCdS/ZnS/GaP
Аверин С.В.1, Кузнецов П.И.1, Житов В.А.1, Захаров Л.Ю.1, Котов В.М.1, Алкеев Н.В.1, Гладышева Н.Б.2
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
2Федеральное государственное унитарное предприятие "Пульсар", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Исследованы детектирующие свойства периодических гетероструктур с квантовыми ямами ZnCdS, разделенными барьерными слоями ZnMgS или ZnS. Гетероструктуры выращены на полуизолирующих подложках GaP методом MOVPE. На их основе изготовлены МПМ-диоды с шириной встречно-штыревых контактов с барьером Шоттки и расстоянием между ними 3 мкм при общей площади детектора 100x100 мкм. Детекторы обладают низкими темновыми токами (10-12 А) и при низких напряжениях смещения обеспечивают узкополосный отклик (FWHM = 18 нм на длине волны 350 нм), определяемый составом квантовой ямы ZnCdS. При увеличении смещения до 70 В наблюдается сдвиг максимальной чувствительности детектора на длину волны 450 нм, обусловленный проникновением электрического поля внешнего смещения в полуизолирующую GaP подложку, при этом узкополосный отклик детектора на длине волны 350 нм сохраняется, т. е. обеспечивается двухцветное детектирование светового излучения.