Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сегрегация Sb в Ge эпитаксиальных слоях и ее использование для селективного легирования структур на основе германия
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.
Исследована сегрегация сурьмы в Ge эпитаксиальных слоях, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на Ge(001) подложках. Для диапазона температур роста 180-325oC определена температурная зависимость коэффициента сегрегации Sb в Ge, показавшая резкий (более чем на 3 порядка) его рост с увеличением температуры. Сильная зависимость сегрегационных свойств Sb от температуры роста позволила адаптировать для селективного легирования Ge структур донорными примесями метод, основанный на контролируемом использовании сегрегации, ранее развитый для легирования Si структур. С использованием данного метода получены селективно-легированные Ge : Sb структуры, в которых изменение объемной концентрации примеси на порядок происходит на толщинах слоев в 3-5 нм.
- H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999)
- K.H. Lee, A. Jandl, Y.H. Tan, E.A. Fitzgerald, C.S. Tan. AIP Advances, 3, 092 123 (2013)
- G. Taraschi, A.J. Pitera, E.A. Fitzgerald. Sol. St. Electron., 48, 1297 (2004)
- R.E. Camacho-Aguilera, Y. Cai, N. Patel, J.T. Bessette, M. Romagnoli, L.C. Kimerling, J. Michel. Opt. Express, 20 (10), 11316 (2012)
- W. Hu, B. Cheng, Ch.i Xue, Sh. Su, H. Xue, Y. Zuo, Q. Wang. Front. Optoelectron., 5 (1), 41 (2012)
- A. Valavanis, T.V. Dinh, L.J.M. Lever, Z. Ikoni'c, R.W. Kelsall. Phys. Rev. B, 83, 195 321 (2011)
- Ch.O. Chui, L. Kuling, J. Moran, W. Tsai. Apll. Phys. Lett., 87, 091 909 (2005)
- H.-J. Gossmann, F.C. Unterwald, H.S. Luftman. J. Appl. Phys., 73, 8237 (1993)
- L. Oberbeck, N.J. Curson, M.Y. Simmons, R. Brenner, A.R. Hamilton, S.R. Schofield, R.G. Clark. Appl. Phys. Lett., 81, 3197 (2002)
- C.B. Arnold, M.J. Aziz. Phys. Rev. B, 72, 195 419 (2005)
- D.V. Yurasov, M.N. Drozdov, A.V. Murel, M.V. Shaleev, N.D. Zakharov, A.V. Novikov. J. Appl. Phys., 109, 113 533 (2011)
- K. Nakagawa, N. Sugii, S. Yamaguchi, M. Miyao. J. Cryst. Growth, 201/202, 560 (1999)
- K. Sawano, Y. Hoshi, K. Kasahara K. Yamane, K. Hamaya, M. Miyao, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 97, 162 108 (2010)
- F. Iijima, K. Sawano, J. Ushio, T. Maruizumi, Y. Shiraki. J. Phys.: Conf. Ser., 417, 012 008 (2013)
- П.В. Волков, А.В. Горюнов, А.Ю. Лукьянов, А.Д. Тертышник, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, Н.А. Байдакова, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, В.Д. Кузьмин. ФТП, 46 (12), 1505 (2012)
- K. Prabhakarana, T. Ogina, R. Hull, J.C. Bean, L.J. Peticolas. Surf. Sci., 316, L1031 (1994)
- K.D. Hobart, D.J. Godbey, M.E. Twigg, M. Fatemi, P.E. Thompson, D.S. Simons. Surf. Sci., 334, 29 (1995)
- J.F. Nutzel, G. Abstreiter. Phys. Rev. B, 53, 13 551 (1996)
- B.J. Spencer, P.W. Voorhees, J. Tersoff. Phys. Rev. B, 64, 253 318 (2001)
- L. Huang, F. Liu, X.G. Gong. Phys. Rev. B, 70, 155 320 (2004)
- H. Jorke. Surf. Sci., 193, 569 (1988)
- G. Scappucci, G. Capellini, W.C.T. Lee, M.Y. Simmons. Appl. Phys. Lett., 94, 162 106 (2009)
- W.M. Klesse, G. Scappucci, G. Capellini, J.M. Hartmann, M.Y. Simmons. Appl. Phys. Lett., 102, 151 103 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
