Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сегрегация Sb в Ge эпитаксиальных слоях и ее использование для селективного легирования структур на основе германия

Антонов А.В.¹, Дроздов М.Н.^1,2, Новиков А.В.^1,2, Юрасов Д.В.^1,2

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

PDF версия

Исследована сегрегация сурьмы в Ge эпитаксиальных слоях, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на Ge(001) подложках. Для диапазона температур роста 180-325^oC определена температурная зависимость коэффициента сегрегации Sb в Ge, показавшая резкий (более чем на 3 порядка) его рост с увеличением температуры. Сильная зависимость сегрегационных свойств Sb от температуры роста позволила адаптировать для селективного легирования Ge структур донорными примесями метод, основанный на контролируемом использовании сегрегации, ранее развитый для легирования Si структур. С использованием данного метода получены селективно-легированные Ge : Sb структуры, в которых изменение объемной концентрации примеси на порядок происходит на толщинах слоев в 3-5 нм.

H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999)
K.H. Lee, A. Jandl, Y.H. Tan, E.A. Fitzgerald, C.S. Tan. AIP Advances, 3, 092 123 (2013)
G. Taraschi, A.J. Pitera, E.A. Fitzgerald. Sol. St. Electron., 48, 1297 (2004)
R.E. Camacho-Aguilera, Y. Cai, N. Patel, J.T. Bessette, M. Romagnoli, L.C. Kimerling, J. Michel. Opt. Express, 20 (10), 11316 (2012)
W. Hu, B. Cheng, Ch.i Xue, Sh. Su, H. Xue, Y. Zuo, Q. Wang. Front. Optoelectron., 5 (1), 41 (2012)
A. Valavanis, T.V. Dinh, L.J.M. Lever, Z. Ikoni'c, R.W. Kelsall. Phys. Rev. B, 83, 195 321 (2011)
Ch.O. Chui, L. Kuling, J. Moran, W. Tsai. Apll. Phys. Lett., 87, 091 909 (2005)
H.-J. Gossmann, F.C. Unterwald, H.S. Luftman. J. Appl. Phys., 73, 8237 (1993)
L. Oberbeck, N.J. Curson, M.Y. Simmons, R. Brenner, A.R. Hamilton, S.R. Schofield, R.G. Clark. Appl. Phys. Lett., 81, 3197 (2002)
C.B. Arnold, M.J. Aziz. Phys. Rev. B, 72, 195 419 (2005)
D.V. Yurasov, M.N. Drozdov, A.V. Murel, M.V. Shaleev, N.D. Zakharov, A.V. Novikov. J. Appl. Phys., 109, 113 533 (2011)
K. Nakagawa, N. Sugii, S. Yamaguchi, M. Miyao. J. Cryst. Growth, 201/202, 560 (1999)
K. Sawano, Y. Hoshi, K. Kasahara K. Yamane, K. Hamaya, M. Miyao, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 97, 162 108 (2010)
F. Iijima, K. Sawano, J. Ushio, T. Maruizumi, Y. Shiraki. J. Phys.: Conf. Ser., 417, 012 008 (2013)
П.В. Волков, А.В. Горюнов, А.Ю. Лукьянов, А.Д. Тертышник, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, Н.А. Байдакова, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, В.Д. Кузьмин. ФТП, 46 (12), 1505 (2012)
K. Prabhakarana, T. Ogina, R. Hull, J.C. Bean, L.J. Peticolas. Surf. Sci., 316, L1031 (1994)
K.D. Hobart, D.J. Godbey, M.E. Twigg, M. Fatemi, P.E. Thompson, D.S. Simons. Surf. Sci., 334, 29 (1995)
J.F. Nutzel, G. Abstreiter. Phys. Rev. B, 53, 13 551 (1996)
B.J. Spencer, P.W. Voorhees, J. Tersoff. Phys. Rev. B, 64, 253 318 (2001)
L. Huang, F. Liu, X.G. Gong. Phys. Rev. B, 70, 155 320 (2004)
H. Jorke. Surf. Sci., 193, 569 (1988)
G. Scappucci, G. Capellini, W.C.T. Lee, M.Y. Simmons. Appl. Phys. Lett., 94, 162 106 (2009)
W.M. Klesse, G. Scappucci, G. Capellini, J.M. Hartmann, M.Y. Simmons. Appl. Phys. Lett., 102, 151 103 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель