Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.
Исследовано влияние толщины слоя Ge и условий его отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием двухстадийного роста. Выявлены зависимости плотности прорастающих дислокаций и шероховатости поверхности слоев Ge/Si(001) от толщины слоя Ge, от температуры и времени отжига, а также от наличия атмосферы водорода при отжиге. В результате оптимизации условий роста и отжига получены релаксированные слои Ge/Si(001) толщиной ≤1 мкм с плотностью дислокаций на уровне 107 см-2 и среднеквадратичной шероховатостью поверхности менее 1 нм.
- А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров. ФТТ, 47 (1), 37 (2005)
- A. Yakimov, V. Kirienko, V. Armbrister, A. Dvurechenskii. Nanoscale Res. Lett., 8 (1), 217 (2013)
- R.E. Camacho-Aguilera, Y. Сai, N. Patel, J.T. Bessette, M. Romagnoli, L.C. Kimerling, J. Michel. Opt. Express, 20, 11 316 (2012)
- Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков. УФН, 178, 459 (2008)
- S.M. Ting, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 87, 2618 (2000)
- M.E. Groenert, C.W. Leitz, A.J. Pitera, V. Yang, H. Lee, R.J. Ram, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 93, 362 (2003)
- V.R. D'Costa, Y.-Y. Fang, J. Tolle, J. Kouvetakis, J. Menendez. Phys. Rev. Lett., 102, 107 403 (2009)
- S. Wirths, R. Geiger, N. von der Driesch, G. Mussler, T. Stoica, S. Mantl, Z. Ikonic, M.Luysberg, S. Chiussi, J.M. Hartmann, H. Sigg, J. Faist, D. Buca, D. Grutzmacher. Nature Photon., 9, 88 (2015)
- Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.В. Соколов, С.И. Чикичев. ФТП, 37 (5), 513 (2003)
- M.T. Currie, S.B. Samavedam, T.A. Langdo, C.W. Leitz, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 72, 1718 (1998)
- L. Colace, G. Mastini, F. Galluzzi, G. Assanto, G. Capellini, L. Di Gaspare, E. Palange, F. Evangelisti. Appl. Phys. Lett., 72, 3175 (1998)
- H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999)
- A. Nayfeh, C. On Chui, K.C. Saraswat, T. Yonehara. Appl. Phys. Lett., 85, 2815 (2004)
- J.M. Hartmann, A. Abbadie, A.M. Papon, P. Holliger, G. Rolland, T. Billon, J.M. Fedeli, M. Rouvi\`ere, L. Vivien, S. Laval. J. Appl. Phys., 95, 5905 (2004)
- T.H. Loh, H.S. Nguyen, C.H. Tung, A.D. Trigg, G.Q. Lo, N. Balasubramanian, D.L. Kwong, S. Tripathy. Appl. Phys. Lett., 90, 092 108 (2007)
- J.M. Hartmann, A. Abbadie, N. Cherkashin, H. Grampeix, L. Clavelier. Semicond. Sci. Technol., 24, 055 002 (2009)
- J.M. Hartmann, A. Abbadie, J.P. Barnes, J.M. Fedeli, T. Billon, L. Vivien. J. Cryst. Growth, 312, 532 (2010)
- V.A. Shah, A. Dobbie, M. Myronov, D.R. Leadley. Thin Sol. Films, 519, 7911 (2011)
- M. Richter, C. Rosse, D.J. Webb, T. Topuria, C. Gerl, M. Sousa, C. Marchiori, D. Caimi, H. Siegwart, P.M. Rice, J. Fompeyrine. J. Cryst. Growth, 323, 387 (2011)
- K.H. Lee, A. Jandl, Y.H. Tan, E.A. Fitzgerald, C.S. Tan. AIP Advances, 3, 092 123 (2013)
- T.K.P. Luong, M.T. Dau, M.A. Zrir, M. Stoffel, V. Le Thanh, M. Petit, A. Ghrib, M. El Kurdi, P. Boucaud, H. Rinnert, J. Murota. J. Appl. Phys., 114, 083 504 (2013)
- П.В. Волков, А.В. Горюнов, А.Ю. Лукьянов, А.Д. Тертышник, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, Н.А. Байдакова, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, В.Д. Кузьмин. ФТП, 46 (12), 1505 (2012)
- L. Souriau, T. Atanasovac, V. Terzieva, A. Moussa, M. Caymax, R. Loo, M. Meuris, W. Vandervorst. J. Electrochem. Soc., 155 (9), H677 (2008)
- M. Halbwax, D. Bouchier, V. Yam, D. Debarre, L.H. Nguyen, Y. Zheng, P. Rosner, M. Benamara, H.P. Strunk, C. Clerc. J. Appl. Phys., 97, 064 907 (2005)
- G.A. Slack, S.F. Bartram. J. Appl. Phys., 46, 89 (1975)
- G. Capellini, M. De Seta, P. Zaumseil, G. Kozlowski, T. Schroeder. J. Appl. Phys., 111, 073 518 (2012)
- Y.H. Xie, G.H. Gilmer, C. Roland, P.J. Silverman, S.K. Buratto, J.Y. Cheng, E.A. Fitzgerald, A.R. Kortan, S. Schuppler, M.A. Marcus, P.H. Citrin. Phys. Rev. Lett., 73, 3006 (1994).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
