Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О роли отрицательных эффективных масс в формировании проводимости полупроводниковых сверхрешеток
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.
Исследуются условия формирования статической и высокочастотной отрицательных проводимостей полупроводниковых сверхрешеток с различной долей области отрицательных эффективных масс в мини-зоне. Показано, что уменьшение доли отрицательной массы ведет к расширению областей отрицательной как дифференциальной, так и абсолютной проводимости сверхрешетки и появлению дополнительных областей неустойчивости гармонического поля. В результате развития статической неустойчивости в сверхрешетке, помещенной в разомкнутую по статическому току внешнюю цепь, возможна генерация как целочисленно, так и дробно квантованных статических полей.
- L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
- Ю.А. Романов. ФТТ, 45, 529 (2003)
- Ю.А. Романов, Ю.Ю. Романова. ФТТ, 43 (3), 520 (2001) [Phys. Solid State, 43 (3), 539 (2001)]
- Yu.A. Romanov, J.Yu. Romanova, L.G. Mourokh. Phys. Rev. B, 79, 245 320 (2009)
- M.C. Wanke, A.G. Markelz, K. Unterrainer, S.J. Allen, R. Bhatt. Physic of Semiconductors, ed. by N. Scheffter, R. Zimmerman (World Scientific., Singapore, 1996), p. 1791M
- M.C. Wanke, J.S. Scott, S.J. Allen, K.D. Maranowski, A.C. Gossard. Proc. SPIE Conf. on Terahertz Spectroscopy and Applications (San Jose, California, 1999) v. 3617, p. 148
- J. Feldmann, K. Leo, J. Shah, D.A.B. Miller, J.E. Cunningham, T. Meier, G. von Plessen, A. Schulze, P. Thomas, S. Schmitt-Rink. Phys. Rev. B, 46, 7252 (1992)
- Y. Shimada, K. Hirakawa, M. Odnoblioudov, K.A. Chao. Phys. Rev. Lett., 90, 046 806 (2003)
- K. Jin, M. Odnoblyudov, Y. Shimada, K. Hirakawa, K.A. Chao. Phys. Rev. B, 68, 153 315 (2003)
- Ю.А. Романов, Ю.Ю. Романова. ФТТ, 46 (1), 162 (2004) [Phys. Solid State, 46 (1), 164 (2004)]
- J.Yu. Romanova, E.V. Demidov, L.G. Mourokh, Yu.A. Romanov. J. Phys.: Condens. Matter, 23, 305 801 (2011)
- Ю.Ю. Романова, М.Л. Орлов, Ю.А. Романов. ФТП, 46, 1475 (2012) [Semiconductors, 46, 1443 (2012)]
- Ю.Ю. Романова, Е.П. Додин, Ю.Н. Ноздрин, А.А. Бирюков, Н.В. Байдусь, Д.А. Павлов, Н.В. Малехонова. ФТП, 49, 122 (2015)
- Y. Shimada, N. Sekine, K. Hirakawa. Appl. Phys. Lett., 84 (24), 4926 (2004)
- Y.A. Romanov, J.Y. Romanova, L.G. Mourokh. J. Appl. Phys., 99, 013 707 (2006)
- Ю.Ю. Романова. ФТП, 46, 1483 (2012) [Semiconductors, 46, 1451 (2012)]
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, С.Г. Калашников, В.В. Кукушкин, Е.Г. Ландсберг. ФТП, 12, 299 (1978)
- Ю. Пожела. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках (М., Наука, 1977)
- T.Я. Банис, И.В. Паршелюнас, Ю.К. Пожела. ФТП, 5, 1990 (1971)
- B.J. Keay, S. Zenner, S.J. Allen, K.O. Maranovski, A.C. Gossard, U. Bhattacharya, M.J.W. Rodwell. Phys. Rev. Lett., 75, 4102 (1995)
- Ю.А. Романов, Ю.Ю. Романова. ЖЭТФ, 118 (5), 1193 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
