Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 1 » Статья стр. 9
<<<>>>
Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий
Козловский В.И.1,2, Кривобок В.С.1,2, Кузнецов П.И.3, Николаев С.Н.1, Онищенко Е.Е.1, Пручкина А.А.1, Тимирязев А.Г.3, Ченцов С.И.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: vikoz@sci.lebedev.ru
Поступила в редакцию: 14 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.
PDF версия
Предложена технология создания полностью гибридных микрорезонаторов на основе пленок Zn(S)Se и аморфных диэлектрических покрытий SiO2/Ta2O5. Продемонстрировано влияние всех ступеней технологического цикла на структуру экситонных состояний в пленках Zn(S)Se. Данное влияние сводится к четырем основным эффектам: появление тонкой структуры у линий излучения свободных экситонов; уменьшение относительного вклада в спектр излучения экситонов, связанных на нейтральных акцепторах; низкочастотный сдвиг линий излучения экситонно-примесных комплексов и свободных экситонов; уменьшение расщепления между линиями излучения легких и тяжелых экситонов. Созданы образцы полностью гибридных микрорезонаторов, в которых удается сохранить высокое структурное и оптическое качество пленок Zn(S)Se.
  1. R. Balili, V. Hartwell, D. Snoke, L. Pfeiffer, K. West. Science, 316, 1007 (2007)
  2. J. Kasprzak, M. Richard, S. Kundermann et al. Nature, 443, 409 (2006)
  3. D. Xu, W. Xie, W. Liu, J. Wang et al. Appl. Phys. Lett., 104, 082101 (2014)
  4. O. Kyriienko, T.C.H. Liew, I.A. Shelykh. Phys. Rev. Lett., 112, 076402 (2014)
  5. C. Khripkov, C. Piermarocchi, A. Vardi. Phys. Rev. B, 88, 235305 (2013)
  6. M.M. Glazov, M.A. Semina, E.Y. Sherman, A.V. Kavokin. Phys. Rev. B, 88, 041309 (2013)
  7. J. Restrepo, C. Ciuti, I. Favero. Phys. Rev. Lett., 112, 013601 (2014)
  8. F. Li, L. Orosz, O. Kamoun, S. Bouchoule et al. Appl. Phys. Lett., 102, 191118 (2013)
  9. K.S. Daskalakis, P.S. Eldridge, G. Christmann et al. Appl. Phys. Lett., 102, 101113 (2013)
  10. S.V. Poltavtsev, I.I. Ryzhov, M.M. Glazov. Phys. Rev. B, 89, 081304 (2014)
  11. S. Koghee, M. Wouters. Phys. Rev. Lett., 112, 036406 (2014)
  12. D. Xu, W. Xie, W. Liu, J. Wang, L. Zhang. Appl. Phys. Lett., 104, 082101 (2014)
  13. T. Espinosa-Ortega, T.C.H. Liew. Phys. Rev. B, 87, 195305 (2013)
  14. P. Bhattacharya, T. Frost, S. Deshpande et. al. Phys. Rev. Lett., 112, 236802 (2014)
  15. V.V. Belykh, N.N. Sibeldin, V.D. Kulakovskii et al. Phys. Rev. Lett., 110, 137402 (2013)
  16. A. Curran, J.K. Morrod, K.A. Prior, A.K. Kar, R.J. Warburton. Semicond. Sci. Technol., 22, 1189 (2007)
  17. A. Pawlis, A. Khartchenko, O. Husberg et al. Sol. St. Commun., 123, 235 (2002)
  18. J. Klaers, J. Schmitt, F. Vewinger, M. Weitz. Nature, 468, 546 (2010)
  19. V.Yu. Bondarev, V.I. Kozlovsky, A.B. Krysa, J.S. Roberts, Ya.K. Skasyrsky. International J. Nanoscience, 3 ( 1-- 2), 193 (2004)
  20. В.И. Козловский, П.И. Кузнецов, Д.Е. Свиридов, Г.Г. Якущева. Квант. электрон., 42 ( 7), 583 (2012)
  21. А.Г. Темирязев, В.И. Борисов, С.А. Саунин. Поверхность, 7, 93 (2014)
  22. X.B. Zhang, S.K. Hark. Appl. Phys. Lett., 74, 3857 (1999)
  23. M. Lopez-Lopez, A. Guillen-Cervantes et al. J. Cryst. Growth, 193, 528 (1998)
  24. J.B. Smathers, E. Kneedler. Appl. Phys. Lett., 72, 1238 (1998)
  25. X.B. Zhang, K.L. Ha, S.K. Hark. J. Cryst. Growth, 223, 528, (2001)
  26. R.J. Thomas, B. Rockwell, H.R. Chandrasekhar, M. Chandrasekhar, A.K. Ramdas, M. Kobayashi, R.L. Gunshor. J. Appl. Phys., 78, 6569 (1995)
  27. Y. Zhang, B.J. Skromme, S.M. Shibli, M.C. Tamargo. Phys. Rev. B, 48, 10885 (1993)
  28. P.J. Dean, D.C. Herbert, C.J. Werkhoven, B.J. Fitzpatrick, R.N. Bhargava. Phys. Rev. B, 23, 4888 (1981)
  29. X. Wang, D. Huang, C. Sheng, G. Yu. J. Appl. Phys., 90, 6114 (2001)
  30. P.J. Dean. Phys. Status Solidi a, 81, 625 (1984)
  31. G. Gleitsmann, N. Ammann, J. Hermans, A. Schneider, J. Geurts, P. Karduck, M. Heuken. J. Cryst. Growth, 138, 324 (1994)
  32. J. Schreiber, U. Hilpert, L. Horing, L. Worschech, B. Konig, W. Ossau, A. Waag, G. Landwehr. Phys. Status Solidi B, 222, 169 (2000)
  33. I.S. Hauksson, S.Y. Wang, J. Simpson, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Phys. Rev. B, 52, 17184 (1995)
  34. K. Sebald, A. Trichet, M. Richard et al. Eur. Phys. J. B, 84, 381 (2011)
  35. B. Sermage, M. Voos. Phys. Rev. B, 15, 3935 (1977)
  36. M. Yoneta, H. Saito, M. Ohishi. J. Cryst. Growth, 138, 110 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme