Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимической обработки

Яфаров Р.К.¹, Шаныгин В.Я.¹

¹Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия Saratov Branch, Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Saratov, Russia

Saratov Branch, Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Saratov, Russia

Email: pirpc@yandex.ru

Поступила в редакцию: 26 марта 2015 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кремния (100) после низкоэнергетичного СВЧ плазмохимического травления в различных плазмообразующих средах. Установлено, что релаксационные изменения поверхностной плотности и высоты атомных выступов после плазменной обработки в инертной и химически активной средах имеют разнонаправленный характер. После обработки в среде хладона-14 минимизация свободной энергии осуществляется в результате уменьшения поверхностной плотности микровыступов и увеличения их высоты. После обработки в плазме аргона наблюдается незначительное возрастание плотности выступов при одновременном уменьшении высот. Рассмотрены физико-химические процессы, обусловливающие эти изменения.

Атомная структура полупроводниковых систем, отв. ред. А.Л. Асеев (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2006)
В.Я. Шаныгин, Р.К. Яфаров. ФТП, 47 (4), 447 (2013)
Технология СБИС, под ред. С. Зи. (М., Мир, 1985)
Р.К. Яфаров. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий (М., Физматлит, 2009)
Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
С.И. Матюхин, К.Ю. Фроленков. Конденсированные среды и межфазные границы, 5 (2), 216 (2003)
К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности (М., Наука, 2006)
Р.К. Яфаров, С.А. Климова. Микроэлектроника, 43 (3), 305 (2014)
И.П. Суздалев. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов (М., Ком Книга, 2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель