Исследовано влияние ультрафиолетового излучения на электрические и спектральные характеристики фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS. Установлено, что облучение приводит к уменьшению их фоточувствительности, а также к изменению вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и рельефа поверхности запирающего электрода. Показано, что основной причиной уменьшения фоточувствительности диодов является фотостимулированный дрейф подвижных доноров в поле барьера, который зависит от кристаллографической ориентации облучаемой поверхности. Другим фотостимулированным процессом, наблюдавшимся в исследованных диодах, является фотолиз кристалла. Он определяет в основном изменение электрических характеристик диодов, а также рельефа поверхности электрода при незначительном изменении фоточувствительности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.