Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм

Емельянов В.М.¹, Минтаиров С.А.¹, Сорокина С.В.¹, Хвостиков В.П.¹, Шварц М.З.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: resso2003@bk.ru

Поступила в редакцию: 6 апреля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом математического моделирования исследовано влияние характеристик эпитаксиальной структуры и контактной сетки фотопреобразователей лазерного излучения на уровень омических потерь в них. Определены предельно достижимые значения кпд при гауссовом распределении освещенности на поверхности фотопреобразователя и при плотностях темновых токов p-n-переходов, характерных для структур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Предложен подход к нахождению оптимальных параметров фотопреобразователей на основе GaAs и In_0.24Ga_0.76As/GaAs в зависимости от преобразуемой ими оптической мощности, и определены параметры структур для мощностей 5, 20, 50 Вт и длин волн 809, 1064 нм. Установлено, что при мощностях лазерного излучения до 5 Вт достижим кпд >60% при преобразовании излучения с длиной волны 809 нм и >55% при преобразовании излучения с длиной волны 1064 нм.

M. Dumke, G. Heiserich, S. Franke, L. Schulz, L. Overmeyer. J. Systemics, Cybernetics and Informatics, 8 (1), 55 (2010)
В.М. Андреев, Б.В. Егоров, А.М. Койнова, В.М. Лантратов, В.Д. Румянцев. ФТП, 20 (3), 435 (1986)
R. Pena, C. Algora. Proc. 20th EU Conf. on PV Solar Energy (Barcelona, Spain, 2005) p. 488
G.A. Landis. J. Propulsion and Power, 8 (1), 251 (1992)
J. Hecht. New Scientist, 207 (2777), 25 (2010)
F. Steinsiek, W.P. Foth, K.H. Weber, C. Schaefer, H.J. Foth. Proc. 54th IAC (Bremen, Germany, 2003) IAC-03-R.3.06
G.A. Landis. Proc. SPIE. Optics, Electro-optics \& Laser Conference (Los Angeles CA, USA, 1994) v. 2121, p. 252
M. Mori, H. Kagawa, Y. Saito. Proc. Conf. Solar Power from Space ' 04 (Granada, Spain, 2004) v. 567, p. 3
H. Suzuki, T. Fujita, M. Mori. Proc. 57th IAC (Valencia, Spain, 2006) IAC-06-C3.2.4
P.A. Crump, T.R. Crum, M. Devito, J. Farmer, M. Grimshaw, Z. Huang, S.A. Igl, S. Macomber, P. Thiagarajan, D. Wise. Proc. SPIE High-Power Diode Laser Tech. and Appl. II (2004) v. 5336, p. 144
Li Fang-Qin, Zhang Xiao-Fu, Zong Nan, Yang Jing, Peng Qin-Jun, Cui Da-Fu, Xu Zu-Yan. Chinese Phys. Lett., 26, 114 206 (2009)
E. Oliva, F. Dimroth, A.W. Bett. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 16 (4), 289 (2008)
V. Andreev, V. Khvostikov, V. Kalinovsky, V. Lantratov, V. Grilikhes, V. Rumyantsev, M. Shvarts, V. Fokanov, A. Pavlov. Proc. 3rd World Conf. on PV Energy Conv. (Osaka, Japan, 2003) v. 1, p. 761
P. Patel, D. Aiken, A. Boca, B. Cho, D. Chumney, M.B. Clevenger, A. Cornfeld, N. Fatemi, Y. Lin, J. McCarty, F. Newman, P. Sharps, J. Spann, M. Stan, J. Steinfeldt, C. Strautin, T. Varghese. IEEE J. Photovoltaics, 2 (3), 377 (2012).
M.W. Wanlass, S.P. Ahrenkiel, D.S. Albin, J.J. Carapella, A. Duda, K. Emery, J.F. Geisz, K. Jones, S. Kurtz, T. Moriarty, M.J. Romero. Proc. Int. Conf. on Solar Conc. for the Generation of Electricity or Hydrogen (Scottsdale, USA, 2005) NREL/CD-520-38172
V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, V.M. Lantratov, O.I. Chosta, M.Z. Shvarts, N.K. Timoshina. Proc. 27th EU PVSEC (Frankfurt, Germany, 2012) p. 169
V.M. Andreev, V.A. Grilikhes, A.A. Soluyanov, N.H. Timoshina, E.V. Vlasova, M.Z. Shvarts. Proc. 22nd EPSEC (Milan, Italy, 2007) p. 126
А.М. Васильев, А.П. Ландсман. Полупроводниковые фотопреобразователи (М., Сов. радио, 1971) с. 83, 143, 222, 224
В.И. Корольков, В.С. Юферев. ФТП, 14 (6), 1064 (1980)
T. Shitara, K. Eberl. Appl. Phys. Lett., 65 (3), 356 (1994)
H.M. Macksey, N. Holonyak Jr., R.D. Dupuis, J.C. Campbell, G.W. Zack. J. Appl. Phys., 44 (3), 1333 (1973)
D. Chattopadhyay, S.K. Sutradhar, B.R. Nag. J. Phys. C, 14 (6), 891 (1981)
C. Hilsum. Electron. Lett., 10, 259 (1974)
M.Z. Shvarts, O.I. Chosta, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, V.M. Andreev. Solar Energy Mater. Solar Cells, 68, 105 (2001)
В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, М.З. Шварц, В.М. Лантратов. ФТП, 44 (12), 1649 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель