Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
Поступила в редакцию: 28 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.
Проведены исследования влияния приповерхностного слоя на процесс электрохимического осаждения металлов и полупроводников в пористый кремний. Показано, что данный слой имеет отличные от основного объема пористого кремния структуру и электрофизические характеристики. Установлено, что уменьшение электропроводности кремниевых кристаллитов, образующих приповерхностный слой пористого кремния, оказывает положительное влияние на процесс заполнения пористого кремния металлами и полупроводниками, что продемонстрировано на примере никеля и оксида цинка. Это может быть использовано для создания нанокомпозитных материалов на основе пористого кремния и наноструктур с высоким аспектным соотношением.
- G.X. Zhang. In.: Modern Aspects of Electrochemistry N 39, ed. by C.G. Vayenas, R.E. White (N. Y., Springer, 2005) p. 65
- A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
- H. Foll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse. Mater. Sci. Eng. R, 39, 93 (2002)
- P. Granitzer, K. Rumpf. Materials, 3, 943 (2010)
- R. Herino. Mater. Sci. Eng. B, 69-70, 70 (2000)
- N. Errien, L. Vellutini, G. Louarn, G. Froyer. Appl. Surf. Sci., 253, 7265 (2007)
- H. Bandarenka, V. Tsubulskii, M. Balucani, V.P. Bondarenko. Ext. Abstracts 9th Int. Conf. Porous Semiconductors --- Science and Technology (Alicante-Benidorm, Spain, 2014) p. 410
- U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morko c. J. Appl. Phys., 98, 041 301 (2005)
- Y. Watanabe, Y. Arita, T. Yokoyama, Y. Igarashi. J. Electrochem. Soc., 122, 1351 (1975)
- X.G. Zhang. J. Electrochem. Soc., 138, 3750 (1991)
- T. Unagami. J. Electrochem. Soc., 127, 476 (1980)
- V. Chamard, G. Dolino, F. Muller. J. Appl. Phys., 84, 6659 (1998)
- V. Lehmann, R. Stengl, A. Luigart. Mater. Sci. Eng. B., 69-70, 11 (2000)
- C.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1
- A.J. Simons, T.I. Cox, M.J. Uren, P.D.J. Calcott. Thin Sol. Films, 255, 12 (1995)
- M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. J. Appl. Phys., 77, 4482 (1995)
- V.Yu. Timoshenko, Th. Dittrich, V. Lysenko, M.G. Lisachenko, F. Koch. Phys. Rev. B, 64, 085 314 (2001)
- В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев. Основы физики поверхности твердого тела (М., Изд-во МГУ, 1999)
- E. Boswell, T.Y. Seong, P.R. Wilshaw. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 437 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
