Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм

Крыжановская Н.В.¹, Максимов М.В.^1,2, Блохин С.А.², Бобров М.А.^2,3, Кулагина М.М.², Трошков С.И.², Задиранов Ю.М.², Липовский А.А.^1,3, Моисеев Э.И.¹, Кудашова Ю.В.¹, Лившиц Д.А.⁴, Устинов В.М.², Жуков А.Е.^1,3,5

¹Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

⁴Innolume GmbH, Dortmund, Germany

⁵Санкт-Петербургский научный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Saint-Petersburg, Russia

St. Petersburg Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Saint-Petersburg, Russia

Email: zhukale@gmail.com

Поступила в редакцию: 30 июня 2015 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Реализованы инжекционные микродисковые лазеры на подложках GaAs с минимальным диаметром 15 мкм и активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре без принудительного охлаждения. Длина волны генерации составила ~1.27 мкм, минимальный пороговый ток 1.6 мА. Удельное тепловое сопротивление оценено равным 5·10^-3oС·см²/Вт.

K.J. Vahala. Nature, 424, 839 (2003)
S.L. McCall, A.F.J. Levi, R.E. Slusher, S.J. Pearton, R.A. Logan. Appl. Phys. Lett., 60, 289 (1992)
M.V. Maximov, B.V. Volovik, C.M. Sotomayor Torres, E.M. Ramushina, V.I. Skopina, E.M. Tanklevskaya, S.A. Gurevich, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Phys. Status Solidi A, 188, 955 (2001)
D. Ouyang, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 18, L53 (2003)
H. Cao, J.Y. Xu, W.H. Xiang, Y. Ma, S.-H. Chang, S.T. Ho, G.S. Solomon. Appl. Phys. Lett., 76, 3519 (2000)
T. Kaplas, Yu. Svirkо. J. Nanophoton., 6, 061 703 (2012)
Y.-H. Kim, S.-H. Kwon, J.M. Lee, M.-S. Hwang, J.-H. Kang, W.I. Park, H.-G. Park. Nature Commun., 3, 1123 (2012)
M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.M. Nadtochiy, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.A. Bogdanov, Z.F. Sadrieva, A.E. Zhukov, A.A. Lipovskii, D.V. Karpov, J. Laukkanen, J. Tommila. Nanoscale Res. Lett., 9, 657 (2014)
N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.M. Nadtochiy, Yu.V. Kudashova, A.A. Lipovskii, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov. IEEE J. Selec. Topics Quant. Electron., in print (2015)
M.-H. Mao, H.-C. Chien, J.-Z. Hong, C.-Y. Cheng. Opt. Express, 19, 14145 (2011)
M. Munsch, J. Claudon, N.S. Malik, K. Gilbert, P. Grosse, J.-M. Gerard, F. Albert, F. Langer, T. Schlereth, M.M. Pieczarka, S. Hofling, M. Kamp, A. Forchel, S. Reitzenstein. Appl. Phys. Lett., 100, 031 111 (2012)
A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 14, 575 (1999)
М.Л. Городецкий. Оптические микрорезонаторы с гигантской добротностью (М., Физматлит, 2011)
A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.A. Lipovskii, I.S. Mukhin, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.V. Savel'ev, A.A. Bogdanov, D.V. Karpov, J. Laukkanen, J. Tommila, D. Livshits. Int. Nano-Optoelectronics Workshop, NOW (St. Petersburg \& Luge, Russia, 2014)
T. Ide, T. Baba, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, T. Nakaoka, Y. Arakawa. Opt. Express, 13, 1615 (2005)
А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.А. Липовский, А.В. Савельев, И.И. Шостак, Э.И. Моисеев, Ю.В. Кудашова, М.М. Кулагина, С.И. Трошков. ФТП, 49 (5), 688 (2015)
M. Fujita, A. Sakai, T. Baba. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 5, 673 (1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель