Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 4 » Статья стр. 501
<<<>>>
Политипные включения и политипная стабильность кристаллов карбида кремния
Авров Д.Д.1, Лебедев А.О.2, Таиров Ю.М.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
PDF версия
На основе литературных и собственных экспериментальных данных рассмотрены основные аспекты проблемы, связанной с обеспечением политипной стабильности выращиваемых слитков карбида кремния политипов 4H и 6Н.
  1. А. Верма, П. Кришна. Полиморфизм и политипизм в кристаллах (М., Мир, 1969)
  2. G. Agrosi, G. Tempesta, G.C. Capitani, E. Scandale, D. Siche. J. Crystal Growth, 311, 4784 (2009)
  3. A.O. Konstantinov, C. Hallin, O. Kordina, E. Janzen. J. Appl. Phys., 80, 5704 (1996)
  4. N. Nordell, O. Bowallius, S. Anand, A. Kakanakova-Georgieva, R. Yakimova, L.D. Madsen, S. Karlsson, A.O. Konstantinov. Appl. Phys. Lett., 80, 1755 (2002)
  5. R. Pusche, M. Hundhausen, L. Ley, K. Semmelroth, F. Schmid, G. Pensl, H. Nagasawa. J. Appl. Phys., 96, 5569 (2004)
  6. N. Ohtani, M. Katsuno, H. Tsuge, T. Fujimoto, M. Nakabayashi, H. Yashiro, M. Sawamura, T. Aigo, T. Hoshino. Microelectronic Engin., 83, 142 (2006)
  7. H.-J. Rost, J. Doerschel, D. Schulz, D. Siche, J. Wollweber. Mater. Sci. Forum, 389-393, 67 (2002)
  8. E. Sanchez, A. Kopec, S. Poplawski, R. Ware, S. Holmes, S. Wang, A. Timmerman. Mater. Sci. Forum, 389-393, 71 (2002)
  9. D. Hofmann, E. Schmitt, M. Bickermann, M. Kolbl, P.J. Wellmann, A. Winnacker. Mater. Sci. Eng. B, 61-62, 48 (1999)
  10. D. Siche, H.-J. Rost, J. Doerschel, D. Schulz, J. Wollweber. J. Cryst. Growth, 237-239, pt. 2, 1187 (2002)
  11. N. Ohtani, M. Katsuno, H. Tsuge, T. Fujimoto, M. Nakabayashi, H. Yashiro, M. Sawamura, T. Aigo, T. Hoshino. J. Cryst. Growth, 286, 55 (2006)
  12. R.A. Stein, P. Lanig. J. Cryst. Growth, 131, 71 (1993)
  13. R. Madar, E. Pernot, M. Anikin, M. Pons. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13 009 (2002)
  14. E.Y. Tupitsyn, A. Arulchakkaravarthi, R.V. Drachev, T.S. Sudarshan. J. Cryst. Growth, 299, 70 (2007)
  15. M. Kanaya, J. Takahashi, Yu. Fujiwara, A. Moritani. Appl. Phys. Lett., 58, 56 (1991)
  16. R. Yakimova, M. Syvajarvi, T. Iakimov, H. Jacobson, R. Raback, A. Vehanen, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 217, 255 (2000)
  17. Yu. M. Tairov, V.F. Tsvetkov. Progress in Cryst. Growth and Characterization of Mater., 7, 111 (1983)
  18. A. Fissel. J. Cryst. Growth, 212, 438 (2000)
  19. E. Schmitt, T. Straubinger, M. Rasp, M. Vogel, A. Wohlfart. J. Cryst. Growth, 310, 966 (2008)
  20. N. Ohtani, M. Katsuno, M. Nakabayashi, T. Fujimoto, H. Tsuge, H. Yashiro, T. Aigo, H. Hirano, T. Hoshino, K. Tatsumi. J. Cryst. Growth, 311, 1475 (2009)
  21. R. Yakimova, M. Syvajarvi, E. Janzen. Mater. Sci. Forum, 264-268, 159 (1998)
  22. H. Matsunami, T. Kimoto. Mater. Sci. Eng. R, 20, 125 (1997)
  23. Ch. Liu Ch. Liu, X. Chen, T. Peng, B. Wang, W. Wang, G. Wang. J. Cryst. Growth, 394, 126 (2014)
  24. M. Camarda, A. La Magna, A. Severino, F. La Via. Thin Sol. Films, 518, S159 (2010)
  25. S. Nie, C. D. Lee, R.M. Feenstra, Y. Ke, R.P. Devaty, W.J. Choyke, C.K. Inoki, T.S. Kuan, G. Gu. Surf. Sci., 602, 2936 (2008)
  26. T. Kimoto, A. Itoh, H. Matsunami, T. Okano. J. Appl. Phys., 81, 3494 (1997)
  27. S. Nakamura, T. Kimoto, H. Matsunami. J. Cryst. Growth, 256, 341 (2003)
  28. T. Kimoto, A. Itoh, H. Matsunami. Appl. Phys. Lett., 66, 3645 (1995)
  29. G. Ehrlich, F.G. Hudda. J. Chem. Phys., 44, 1039 (1966)
  30. R. L. Schwoebel, E.J. Shipsey. J. Appl. Phys., 37, 3682 (1966)
  31. V. Borovikov, A. Zangwill. Phys. Rev. B, 79, 245 413 (2009)
  32. N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, M. Nakabayashi, H. Tsuge, H. Yashiro, T. Aigo, H. Hirano, T. Hoshino, W. Ohashi. Jpn. J. Appl. Phys., 48, 065 503 (2009)
  33. T. Kimoto, A. Itoh, H. Matsunami, T. Okano. J. Appl. Phys., 81, 3494 (1997)
  34. N. Ohtani, M. Katsuno, J. Takahashi, H. Yashiro, M. Kanaya. Phys.Rev. B, 59, 4592 (1999)
  35. V. Papaioannou, J. Stoemenos, L. Di Cioccio, D. David, C. Pudda. J. Cryst. Growth, 194, 342 (1998)
  36. S. Tanaka, R.S. Kern, R.F. Davis, J.F. Wendelken, J. Xu. Surf. Sci., 350, 247 (1996)
  37. P.J. Stout. J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 3314 (1998)
  38. S. Lin, Z. Chen, X. Feng, Y. Yang, L. Li, Z. Wang, P. Pan, J. Wan, H. Wang, Y. Ba, Y. Ma, Q. Li. Diamond Relat. Mater., 20, 516 (2011)
  39. J. Chen J. Chen, S.C. Lien, Y.C. Shin, Zh.Ch. Feng, C.H. Kuan, J.H. Zhao, J.H. Zhao, W.J. Lu. Mater. Sci. Forum, 600-603, 39 (2009)
  40. D.J. Larkin, P.G. Neudeck, J.A. Powell, L.G. Matus. Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 51 (1994)
  41. G.J. Tennenhouse, J.A. Mangels. J. Mater. Sci. Lett., 1, 282 (1982)
  42. D. Schulz, M. Lechner, H.-J. Rost, D. Siche, J. Wollweber. Mater. Sci. Forum, 433-436, 17 (2003)
  43. H.-J. Rost, J. Doerschel, K. Irmscher, D. Schulz, D. Siche. J. Cryst. Growth, 257, 75 (2003)
  44. H.-J. Rost, J. Doerschel, K. Irmscher, M. Rossberg, D. Schulz, D. Siche. J. Cryst. Growth, 275, e451 (2005)
  45. В.А. Карачинов. Автореф. канд. дис. (Л., ЛЭТИ, 1985)
  46. H. Vakhner, Y.M. Tairov. Phys. Solid State, 11, 1972 (1969)
  47. Yu.M. Tairov, I.I. Khlebnikov, V.F. Tsvetkov. Phys. Status Solidi A, 25, Iss. 1, 349 (1974)
  48. K. Racka, E. Tymicki, K. Grasza, R. Jakie a, M. Pisarek, B. Surma, A. Avdonin, P. Skupinski, J. Krupka. J. Cryst. Growth, 401, 677 (2014)
  49. S.G. Muller, R. Eckstein, D. Hofmann, E. Schmitt, W. Schoierer, A.Winnacker, W. Dorsch, H.P. Strunk. Mater. Sci. Eng. B, 44, 392 (1997)
  50. C. Basceri, I. Khlebnikov, Y. Khlebnikov, P. Muzykov, M. Sharma, G. Stratiy, M. Silan, C. Balkas. Mater. Sci. Forum, 527-529, 39 (2006)
  51. D.D. Avrov, S.I. Dorozhkin, A.O. Lebedev, Yu.M. Tairov. Semiconductors, 41, 1389 (2007)
  52. N. Shulze, D. Barrett, M. Weidner, G. Pensl. Mater. Sci. Forum, 338-342, 111 (2000)
  53. T. Nishiguchi, T. Shimizu, M. Sasaki, S. Nishino. Mater. Sci. Forum, 353-356, 69 (2001)
  54. Sh. Lin, Z. Chen, B. Liu, L. Li, X. Feng. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 21, 326 (2010)
  55. A.O. Lebedev, D.D. Avrov, A.V. Bulatov, S.I. Dorozhkin, Yu.M. Tairov, A.Yu. Fadeev. J. Cryst. Growth, 318, 394 (2011)
  56. X. Li, S. Jiang, X. Hu, J. Dong, J. Li, X. Chen, L. Wang, X. Xu, M. Jiang. Mater. Sci. Forum, 527-529, 95 (2006)
  57. E.E. Eshun, M.G. Spencer, J.Griffin, P. Zhou, G.L. Harris. Mater. Sci. Eng. B, 98, 65 (2003)
  58. A.A. Lebedev. Semicond.Sci.Technol., 21, R17 (2006)
  59. K. Grasza, E. Tymicki. Mater. Sci. Forum, 600-603,31 (2007)
  60. X.-B. Li, E.-W. Shi, Z.-Z. Chen, B. Xiao. Diamond Relat. Mater., 16, 654 (2007)
  61. Г.С. Олейник, Н.В. Даниленко. Успехи химии, 66, 615 (1997)
  62. F.C. Frank. Phil. Mag., 42, 1014 (1951)
  63. Ю.О. Пунин, А.Г. Штукенберг. Автодеформационные дефекты кристаллов (СПб., Изд-во СПбГУ, 2008)
  64. A. Lebedev, Yu. Tairov. J. Cryst. Growth, 401, 392 (2014)
  65. K. Dornberger-Schiff. Lehrgang uber OD-Strukturen (Berlin, 1966)
  66. Ж. Фридель. Дислокации (М.: Мир, 1967)
  67. M.H. Hong, A.V. Samant, P. Pirouz. Phil. Mag. A, 80, 919 (2000)
  68. G. Feng, J. Suda, T. Kimoto. Physica B, 404, 4745 (2009)
  69. S. Nakashima, H. Harima. Phys. Status Solidi A, 162, 39 (1997)
  70. S. Lin, Z. Chen, Y. Ba, M. Yang, L. Li. Mater. Lett., 81, 27 (2012)
  71. Y. Zhang, H. Chen, G. Choi, B. Raghothamachar, M. Dudley, J.H. Edgar et al. J. Electron.Mater., 39, 799 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme