Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме omega-сканирования

Васильевский И.С.¹, Пушкарев С.С.^1,2, Грехов М.М.¹, Виниченко А.Н.¹, Лаврухин Д.В.², Коленцова О.С.¹

¹Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

²Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 29 сентября 2015 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Работа посвящена поиску новых возможностей характеризации особенностей кристаллической структуры с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Особое внимание уделяется режиму сканирования поперек вектора дифракции (omega-сканирование), поскольку исследователи обычно уделяют этому режиму мало внимания и его возможности остаются не полностью выявленными. Для кристаллографических направлений [011] и [011] сопоставлены полуширина omega-пика и средний угол наклона профиля поверхности образца. Также исследуются диагностические возможности картографирования рассеяния рентгеновского излучения. Объектами исследования являются полупроводниковые наногетероструктуры с квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAlAs и с метаморфным буфером In_xAl_1-xAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках InP и GaAs. Наногетероструктуры подобного типа используются при изготовлении микроволновых транзисторов и монолитных интегральных схем. Для более полной характеризации объектов были использованы эффект Холла, атомно-силовая микроскопия, низкотемпературная спектроскопия фотолюминесценции при 79 K.

Р.Н. Кютт. Актуальные вопросы современного естествознания, 5, 43 (2007)
D. Lee, M.S. Park, Z. Tang, H. Luo, R. Beresford, C.R. Wie. J. Appl. Phys., 101, 063 523 (2007)
V.M. Kaganer, R. Kohler, M. Schmidbauer, R. Opitz. Physical Rev. B, 55 (3), 1793. (1997)
Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков. УФН, 178 (5), 459 (2008)
В.Т. Бублик, Л.В. Кожитов, Т.Т. Кондратенко. Завод. лаб. Диагностика материалов, 74 (12), 30 (2008)
А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, М.В. Максимов, Н.Н. Фалеев, П.С. Копьев. ФТП, 31 (1), 19 (1997)
K. Yuan, K. Radhakrishnan, H.Q. Zheng, Q.D. Zhuang, G.I. Ing. Thin Sol. Films, 391, 36 (2001)
M.A.G. Halliwell, M.H. Lyons, M.J. Hill. J. Cryst. Growth, 68, 523 (1984)
B.M. Arora, K.S. Chandrasekaran, M.R. Gokhale, Geeta Nair, G. Venugopal Rao, G. Amarendra, B. Viswanathan. J. Appl. Phys., 87, 8444 (2000)
L.E. Shilkrot, D.J. Srolovitz, J. Tersoff. Appl. Phys. Lett., 77, 304 (2000)
G.B. Galiev, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, P.P. Maltsev. Nanotechnologies in Russia, 10 (7-8), 593 (2015)
G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, S.S. Pushkarev, Е.А. Klimov, R.M. Imamov, P.A.Buffat, B. Dwir, Е.I. Suvorova. J. Cryst. Growth, 366, 55 (2013)
Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, Р.Р. Галиев, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, Ю.В. Федоров, П.П. Мальцев. ФТП, 48 (1), 73 (2014)
M.J. Joyce, M. Gal, J. Tann. J. Appl. Phys., 65, 1377 (1989)
K.S. Joo, S.H. Chun, J.Y. Lim, J.D. Song, J.Y. Chang. Physica E, 40, 2874 (2008)
F. Capotondi, G. Biasiol, D. Ercolani, V. Grillo, E. Carlino, F. Romanato, L. Sorba. Thin Sol. Films, 484, 400 (2005)
ГОСТ 25142-82. Шероховатость поверхности. Термины и определения.
G. Salviati, C. Ferrari, L. Lazzarini, L. Nasi, A.V. Drigo, M. Berti, D. De Salvador, M. Natali, M. Mazzer. Appl. Surf. Sci., 188, 36 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель