Локализация полос межзонных переходов в объеме зоны Бриллюэна кристаллов группы III-V
Поступила в редакцию: 17 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
В рамках теории функционала электронной плотности определена локализация переходов в объеме зоны Бриллюэна, формирующих основные структуры в спектрах мнимой части диэлектрической функции до ~7 эВ полупроводников группы III-V (AlSb, GaSb, InSb и InAs). Выявлено, что интенсивные переходы происходят не только в окрестности осей высокой симметрии зоны Бриллюэна, но и в нескольких конкретных больших объемах неприводимой части зоны Бриллюэна.
- O. Ueda, S.J. Pearton. Materials and reliability handbook for semiconductor optical and electron devices (New York, Springer, 2013); Ch. Liu, Y. Li, Y. Zeng. Engineering, 2, 617 (2010)
- Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения типа AIIIBV), под ред. Р. Уиллардсона, А. Бира (М., Мир, 1970)
- В.В. Соболев. Оптические фундаментальные спектры соединений A^3B5 (Кишинев, Штиинца, 1979)
- P. Yu, M. Cardona. Fundamentals of semiconductors (Berlin, Springer, 2005)
- В.В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. Т. I. Введение в теорию (Москва--Ижевск, Изд-во Ин-та компьютерных исследований, 2012)
- В.В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. Т. II. Моделирование интегральных спектров элементарными полосами (Москва--Ижевск, Изд-во Ин-та компьютерных исследований, 2012)
- В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Электронная структура твердых тел в области фундаментального края поглощения. Т. I. Введение в теорию. (Киев, Наукова думка, 1992)
- F.H. Pollak, C.W. Higginbotham, M. Cardona. Proc. Int. Conf. Phys. Semicond. (Kyoto, Japan, 1966) v. 21, p. 20
- C.W. Higginbotham, F.H. Pollak, M. Cardona. Proc. 9 Int. Conf. Phys. Semicond. (Moscow, 1968) v. 11, p. 57
- R.N. Cahn, M. Cohen. Phys. Rev. B, 1, 2569 (1970)
- V.C. De Alvarez, J.P. Walter, R.W. Boyd, M.L. Cohen. J. Phys. Chem. Solids, 34, 337 (1973)
- I. Topol, H. Neumann, E. Hess. Czech. J. Phys. B, 24, 107 (1974)
- J.R. Chelikowsky, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 14, 556 (1976)
- M. Alouani, L. Brey, N.E. Christensen. Phys. Rev. B, 37, 1167 (1988)
- M.-Zh. Huang, W.Y. Ching. Phys. Rev. B, 47, 9449 (1993)
- R. Asahi, W. Mannstadt, A.J. Freeman. Phys. Rev. B, 59, 7486 (1999)
- S.H. Rhim, M. Kim, A.J. Freeman, R. Asahi. Phys. Rev. B, 71, 045 202 (2005)
- A.H. Reshak. Eur. Phys. J. B, 47, 503 (2005)
- Zh. Feng, H. Hu, Sh. Cui, W. Wang, C. Lu. Cent. Eur. J. Phys., 7, 786 (2009)
- N.N. Anua, R. Ahmed, A. Shaari, M.A. Saeed, B.U. Haq, S. Goumri-Said. Semicond. Sci. Technol., 28, 105 015 (2013)
- M.I. Ziane, Z. Bensaad, B. Labdelli, H. Bennacer. Sensors \& Transducers, 27, 374 (2014)
- Y. Wang, H. Yin, R. Cao, F. Zahid, Y. Zhu, L. Liu, J. Wang, H. Guo. Phys. Rev. B, 87, 235 203 (2013)
- B.D. Malone, M.L. Cohen. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 105 503 (2013)
- S. Zollner, Ch. Lin, E. Schonherr, A. Bohringer, M. Cardona. J. Appl. Phys., 66, 383 (1989)
- S. Zollner, M. Garriga, J. Humlcek, S. Gopalan, M. Cardona. Phys. Rev. B, 43, 4349 (1991)
- S. Logothetidis, L. Vina, M. Cardona. Phys. Rev. B, 31, 947 (1985)
- T.J. Kim, J.J. Yoon, S.Y. Hwang, Y.W. Jung, T.H. Chong, Y.D. Kim, H. Kim, Y.-Ch. Chang. Appl. Phys. Lett., 97, 171 912 (2010)
- Springer Handbook of Condensed Matter and Materials Data, ed. by W. Martienssen, H. Warlimont (Berlin, Springer, 2005)
- А.В. Бакулин, С.Е. Кулькова. Изв. вузов. Физика, 57, 122 (2014)
- P. Blaha, K. Schwarz, G.K.H. Madsen, D. Kvasnicka, J. Luitz. WIEN2K (Techn. Univ. Wien, Austria, 2001) ISBN 3-9501030-1-2
- J.P. Perdew, S. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77, 3865 (1996)
- P.E. Blochl, O. Jepsen, O.K. Andersen. Phys. Rev. B, 49, 16223 (1994)
- R. Markowski, M. Podgorny. J. Phys.: Condens. Matter, 3, 9041 (1991).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.