Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Email: anton@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
Показана возможность создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм. Исследованы структурные и оптические свойства методами рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. Проведeнный сравнительный анализ интегральной интенсивности фотолюминесценции созданных гетероструктур и эталонного образца подтвердил высокую эффективность излучательной рекомбинации в созданных гетероструктурах. Отсутствие проникновения дислокаций в активную область метаморфных гетероструктур, где происходит процесс излучальной рекомбинации носителей заряда, подтверждено методом просвечивающей электронной микроскопии.
- D. Gollub, S. Moses, M. Fischer, A. Forchel. Electron. Lett., 39 (10), 777 (2003)
- T. Hakkarainen, J. Toivonen, H. Koskenvaara, M. Sopanen, H. Lipsanen. J. Phys.: Condens. Matter, 16 (31), S3009 (2004)
- S.R. Bank, H.P. Bae, H.B. Yuen, M.A. Wistey, L.L. Goddard, J.S. Harris. Electron. Lett., 42 (3), 156 (2006)
- S.R. Bank, M.A. Wistey, L.L. Goddard, H.B. Yuen, V. Lordi, jr, J.S. Harris. IEEE J. Quant. Electron., 40 (6), 656 (2004)
- S.R. Bank, L.L. Goddard, M.A. Wistey, H.B. Yuen, jr, J.S. Harris. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 11 (5), 1089 (2005)
- V.M. Korpijarvi, E.L. Kantola, T. Leinonen, R. Isoaho, M. Guina. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 21 (6), 1 (2015)
- И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37 (10), 1270 (2003)
- N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Electron. Lett., 39 (15), 1126 (2003)
- T. Kettler, L.Y. Karachinsky, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, G. Fiol, M. Kuntz, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, K. Posilovic, D. Bimberg, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, E.S. Semenova, A.P. Vasil'ev, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh. Appl. Phys. Lett., 89 (4), 041 113 (2006).
- L.Y. Karachinsky, T. Kettler, I.I. Novikov, Y.M. Shernyakov, N.Y. Gordeev, M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, E.S. Semenova, A.P. Vasil'ev, V.M. Ustinov, G. Fiol, M. Kuntz, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, K. Posilovic, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 21 (5), 691 (2006)
- А.Ю. Егоров, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.В. Бабичев, В.Н. Неведомский, В.Е. Бугров. ФТП, 49 (11), 1569 (2015)
- I. Garci a, J.F. Geisz, R.M. France, J. Kang, S.H. Wei, M. Ochoa, D.J. Friedman. J. Appl. Phys., 116 (7), 074 508 (2014)
- А.Ю. Егоров, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.В. Бабичев, Т.Н. Березовская, В.Н. Неведомский. ФТП, 49 (10), 1434 (2015).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
