Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зарядоперенос в выпрямляющих оксидных гетероструктурах и оксидные элементы доступа ReRAM
Петрозаводский государственный университет, Программа стратегического развития Петрозаводского государственного университета на 2012−2016 гг.
Министерство образования и науки Российской Федерации, 2014/154
Министерство образования и науки Российской Федерации, 3.757.2014/K
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований по приоритетным тематическим направлениям исследований, 16-19-00135
Стефанович Г.Б.
1, Пергамент А.Л.
1, Борисков П.П.
1, Куроптев В.А.
1, Стефанович Т.Г.1
1Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия 
Email: gstef@yandex.ru, aperg@petrsu.ru, boriskov@psu.karelia.ru, v.a.kuroptev@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
Обсуждаются основные аспекты синтеза и экспериментального исследования диодных оксидных гетероструктур в плане их использования в качестве селекторных диодов - элементов доступа в оксидной резистивной памяти. Показано, что зарядоперенос в данных материалах существенно отличается от механизма проводимости в p-n-переходах на основе традиционных полупроводников (Si, Ge, AIIIBV), а модель должна учитывать электронные свойства оксидов, главным образом низкую дрейфовую подвижность носителей заряда. Установлено, что увеличение прямого тока требует наличия в составе гетероструктур оксида с малой шириной запрещенной зоны (<1.3 эВ). Исследованы гетероструктуры с оксидами Zn, In-Zn (IZO), Ti, Ni и Cu, среди которых гетеропереход CuO-IZO имеет наибольшую плотность прямого тока (104 А/см2).
- В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, Изд-во науч.-техн. лит., 2000)
- P. Lippens, M. Buchel, D. Chiu, C. Szepesi. Thin Sol. Films, 532, 94 (2013)
- M. Pavan, S. Ruhle, A. Ginsburg, D.A. Keller, H.-N. Barad, P.M. Sberna, D. Nunes, R. Martins, A.Y. Anderson, A. Zaban, E. Fortunato. Solar Energy. Mater. Solar Cells, 132, 549 (2015)
- D. Choi, W.J. Maeng, J.-S. Park. Appl. Surf. Sci., 313, 585 (2014)
- G. Congedo, C. Wiemer, A. Lamperti, E. Cianci, A. Molle, F.G. Volpe, S. Spiga. Thin Sol. Films, 533, 9 (2014)
- G.W. Burr, B.N. Kurdi, J.C. Scott, C.H. Lam, K. Gopalakrishnan, R.S. Shenoy. IBM J. Res. Develop., 52, 449 (2008)
- Y. Fujisaki. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 040 001 (2013)
- M.-J. Lee, S.I. Kim, C.B. Lee, H. Yin, S.-E. Ahn, B.S. Kang, K.H. Kim, J.C. Park, C.J. Kim, I. Song, S.W. Kim, G. Stefanovich, J.H. Lee, S.J. Chung, Y.H. Kim, Y.S. Park. Adv. Funct. Mater., 19, 1587 (2009)
- S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 63, 75201 (2001)
- R. van de Krol, H.L. Tuller. Solid State Ionics, 150, 167 (2002)
- Э.С. Фалькевич. Технология полупроводникового кремния (М., Металлургия, 1992)
- P.A. Cox. Transition Metal Oxides: An Introduction to their Electronic Structure and Properties (Oxford, Clarendon Press, 1992)
- L.J. Van der Pauw. Philips Tech. Rev., 20, 220 (1958)
- K. Seonghyun, P. Jubong, W. Jiyong, C. Chunhum, L. Wootae, S. Jungho, C. Godeuni, P. Sangsu, L. Daeseok, H.L. Byoung, H. Hyunsang. Microelectronic Engin., 107, 33 (2013)
- А.Л. Пергамент, Г.Б. Стефанович, Ф.А.Чудновский. ФТТ, 36 (10), 988 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
