Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотодиодная линейка 1x64 на основе двойной гетeроструктуры p-InAsSbP/n-InAs0.92Sb0.08/n+-InAs
ФЦП, "Разработка технологии получения полупроводниковых фоточувствительных материалов для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров", 14.576.21.0057
Ильинская Н.Д.
1, Карандашев С.А.
1, Карпухина Н.Г.2, Лавров А.А.
1,2, Матвеев Б.А.
1, Ременный М.А.
1, Стусь Н.М.
1,2, Усикова А.А.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2ООО "ИоффеЛЕД", Санкт-Петербург, Россия
2ООО "ИоффеЛЕД", Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalya.ilynskaya@mail.ioffe.ru, ksa08@yandex.ru, ioffeled@mail.ru, lavrov_albert@list.ru, Mremennyy@mail.ioffe.ru, n.stu@mail.ru, usikova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
Приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик, фотоэлектрических и люминесцентных свойств монолитной диодной линейки 1x64 на основе двойной гетероструктуры p-InAsSbP/ n-InAsSb/n+-InAs, освещаемой со стороны подложки n+-InAs и чувствительной в области 4 мкм. Проведен анализ механизмов токопрохождения в диапазоне температур 77-353 K, а также фоточувствительности и быстродействия с учетом пространственного распределения неравновесного излучения и данных вольт-фарадных измерений.
- Б.А. Матвеев. Фотоника, N 6 (48), 80 (2014)
- M. Kohring, S. Bottger, U. Willer, W. Schade. Sensors (Basel), 15 (5), 12 092 (2015). DOI:10.3390/s150512092
- G.Y. Sotnikova, G.A. Gavrilov, S.E. Aleksandrov, A.A. Kapralov, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remennyy. IEEE Sens. J., 10 (2), 225 (2010)
- С.Е. Александров, Г.А. Гаврилов, Г.Ю. Сотникова, А.Л. Тер-Мартиросян. ФТП, 48 (1), 129 (2014)
- G.Yu. Sotnikova, S.E. Aleksandrov, G.A. Gavrilov, A.A. Kapralov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, M. Saadaoui, D. Zymelka. Abstracts of the 42th Freiburg Infrared Colloquium (2015) p. 89
- V.I. Stafeev. Proc. SPIE, 4340, 240 (2000). DOI:10.1117/12.407737
- Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Н.Г. Карпухина, А.А. Лавров, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова. Прикл. физика, N 6, 47 (2014)
- I.C. Sandall, S. Zhang, Ch.H. Tan. Opt. Express, 21 (22), 25 783 (2013). DOI:10.1364/OE.21.025780
- P.N. Brunkov, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyy, N.M. Stus', A.A. Usikova. Infr. Phys. Technol., 73, 232 (2015)
- P.C. Klipstein, O. Klin, S. Grossman, N. Snapi, I. Lukomsky, M. Brumer, M. Yassen, D. Aronov, E. Berkowicz, A. Glozman, T. Fishman, O. Magen, I. Shtrichman, E. Weiss. Proc. SPIE, 8012, 80122R1 (2011). DOI:10.1117/12.883238
- D. Gibson, C. MacGregor. Sensors, 13, 7079 (2013). DOI:10.3390/s130607079
- L. Zhang, W. Sun, Y. Xu, L. Zhang, J. Si. Infr. Phys. Technol., 65, 129 (2014)
- A. Rogalski. Infrared Detectors, 2nd edn. ISBN 978-1-4200-7671-4 (CRC press, Tailor and Francis group, 2012)
- В.М. Базовкин, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.С. Ларшин, В.Г. Половинкин. Прикл. физика, N 2, 97 (2005)
- В.И. Иванов-Омский, Б.А. Матвеев. ФТП, 41 (3), 257 (2007).
- Б.А. Матвеев. Фотоника, N 3 (51), 152 (2015)
- Yu.P. Yakovlev, I.A. Andreev, S. Kizhayev, E.V. Kunitsyna, М.P. Mikhailova. Proc. SPIE, 6636, 66360D1 (2007). DOI:10.1117/12.742322
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
