Вышедшие номера
Фотодиодная линейка 1x64 на основе двойной гетeроструктуры p-InAsSbP/n-InAs0.92Sb0.08/n+-InAs
ФЦП, "Разработка технологии получения полупроводниковых фоточувствительных материалов для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров", 14.576.21.0057
Ильинская Н.Д. 1, Карандашев С.А. 1, Карпухина Н.Г.2, Лавров А.А. 1,2, Матвеев Б.А. 1, Ременный М.А. 1, Стусь Н.М. 1,2, Усикова А.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "ИоффеЛЕД", Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalya.ilynskaya@mail.ioffe.ru, ksa08@yandex.ru, ioffeled@mail.ru, lavrov_albert@list.ru, Mremennyy@mail.ioffe.ru, n.stu@mail.ru, usikova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик, фотоэлектрических и люминесцентных свойств монолитной диодной линейки 1x64 на основе двойной гетероструктуры p-InAsSbP/ n-InAsSb/n+-InAs, освещаемой со стороны подложки n+-InAs и чувствительной в области 4 мкм. Проведен анализ механизмов токопрохождения в диапазоне температур 77-353 K, а также фоточувствительности и быстродействия с учетом пространственного распределения неравновесного излучения и данных вольт-фарадных измерений.