Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 5 » Статья стр. 679
<<<>>>
Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах
Соколова З.Н. 1, Бахвалов К.В. 1, Лютецкий А.В. 1, Пихтин Н.А. 1, Тарасов И.С.1, Асрян Л.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, VA, USA
Email: zina.sokolova@mail.ioffe.ru, kirill_bah@yahoo.com, Lutetskiy@mail.ioffe.ru, nike@hpld.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
PDF версия
Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены три лазерные структуры с одиночной напряженной квантовой ямой из InGaAs и волноводной областью из GaAs или Al0.1Ga0.9As. В этих структурах, имеющих различную глубину квантовой ямы, были измерены плотность порогового тока и внутренняя дифференциальная квантовая эффективность. С использованием экспериментальных значений этих величин была вычислена скорость захвата электронов в квантовую яму в каждой из трех структур. Получено, что скорость захвата в глубокие ямы существенно меньше, чем в мелкие.
  1. L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. Appl. Phys. Lett., 81, 2154 (2002)
  2. L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 39, 404 (2003)
  3. З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 45, 1553 (2011)
  4. З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 46, 1067 (2012)
  5. L.V. Asryan, Z.N. Sokolova. J. Appl. Phys., 115, 023 107 (2014)
  6. З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. Квант. электрон., 44, 801 (2014)
  7. З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 49, 1553 (2015)
  8. Z.N. Sokolova, K.V. Bakhvalov, A.V. Lyutetskiy, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, L.V. Asryan. Electron. Lett., 51, 780 (2015)
  9. П.В. Булаев, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин, Д.Н. Николаев, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, А.Д. Бондарев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (9), 1144 (2002)
  10. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 1393 (2002)
  11. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
  12. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6 (1), 27 (1991)
  13. Л.В. Асрян. Квант. электрон., 35, 1117 (2005)
  14. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme