Рассмотрены особенности радиационно-стимулированных изменений вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик перехода эмиттер-база в транзисторах типа KT3117. Показано, что на начальной стадии облучения (при дозах D<4000 Гр для "пассивного" режима облучения и D<5200 Гр для "активного") наблюдается увеличение тока через эмиттерный переход, что обусловлено эффектом радиационно-стимулированного упорядочения дефектной структуры p-n-перехода. Также показано, что рентгеновское облучение (D<14 000 Гр) и последующие временная релаксация (96 ч) и термический отжиг (2 ч при 400 K) исследуемых транзисторных термосенсоров приводят к повышению их радиационной стойкости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.