Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
К модели окисления поликристаллических слоев халькогенидов свинца в иодосодержащей среде
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 19 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.
На основе экспериментальных результатов по изучению закономерностей формирования наноструктурированных слоев при диффузионном отжиге на ограненных монокристаллах халькогенидов свинца подтверждены модельные представления об управлении формированием оксидных оболочек в процессе окисления. Представлены данные о распределении элементного соства по глубине слоев на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия, полученные методом оже-спектроскопии.
- Е.В. Мараева, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров. ФТП, 47, 1431 (2013)
- С.А. Олеск, А.Н. Пихтин, А.Э. Юнович. ФТП, 24, 795 (1990)
- А.Е. Гамарц, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. ФТП, 40, 683 (2006)
- О.А. Александрова, А.И. Максимов, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. Халькогениды и оксиды элементов IV группы. Получение, исследование, применение (СПб., Технолит, 2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
