Зависимость проводимости от толщины активной области в тонкопленочных диодах Шоттки на GaAs
Зуев С.А.1, Килесса Г.В.1, Асанов Э.Э.1, Старостенко В.В.1, Покрова С.В.1
1Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Россия
Поступила в редакцию: 10 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.
Исследовались зависимости электрических характеристик тонкопленочных структур с барьером Шоттки на арсениде галлия. Исследования проводились с помощью численного моделирования методом Монте-Карло в кинетическом приближении с учетом основных механизмов рассеяния. Получены зависимости проводимости диода от напряжения и от толщины канала. Показано, что при малой толщине канала происходит изменение характера зависимости между напряжением и проводимостью диода, что объясняется вытеснением поля барьера в подложку.
- В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник (Киев, Наук. думка, 1974)
- А.П. Вяткин, Н.К. Максимова, Н.Г. Филонов. Вестн. Томск. гос. ун-та, 285, 121 (2005)
- А.В. Вишняков, М.Д. Ефремов. ФТП, 44 (9), 1290 (2010)
- А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, Л.М. Капитанчук, В.Н. Шеремет, Ю.Н. Свешников, А.С. Пилипчук. ФТП, 48 (10), 1344 (2014)
- E.E. Asanov, S.A. Zuev, G.V. Kilessa, M.I. Slipchenko. TelecomRadEng., 72 (17), 1575 (2013)
- G.V. Kilessa, E.E. Asanov, S.A. Zuev, V.V. Starostenko, M.I. Slipchenko. TelecomRadEng., 73 (14), 1273 (2014)
- Р. Хокни, Д. Иствуд. Численное моделирование методом частиц (М., Мир, 1987)
- G.U. Jensen, B. Lund, T.A. Fjeldly, M. Shur. Comput. Phys. Commun., 67, 1 (1991)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
