Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зависимость проводимости от толщины активной области в тонкопленочных диодах Шоттки на GaAs

Зуев С.А.¹, Килесса Г.В.¹, Асанов Э.Э.¹, Старостенко В.В.¹, Покрова С.В.¹

¹Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Россия Vernadskii Crimean Federal University, Simferopol, Russia

Поступила в редакцию: 10 ноября 2015 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались зависимости электрических характеристик тонкопленочных структур с барьером Шоттки на арсениде галлия. Исследования проводились с помощью численного моделирования методом Монте-Карло в кинетическом приближении с учетом основных механизмов рассеяния. Получены зависимости проводимости диода от напряжения и от толщины канала. Показано, что при малой толщине канала происходит изменение характера зависимости между напряжением и проводимостью диода, что объясняется вытеснением поля барьера в подложку.

В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник (Киев, Наук. думка, 1974)
А.П. Вяткин, Н.К. Максимова, Н.Г. Филонов. Вестн. Томск. гос. ун-та, 285, 121 (2005)
А.В. Вишняков, М.Д. Ефремов. ФТП, 44 (9), 1290 (2010)
А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, Л.М. Капитанчук, В.Н. Шеремет, Ю.Н. Свешников, А.С. Пилипчук. ФТП, 48 (10), 1344 (2014)
E.E. Asanov, S.A. Zuev, G.V. Kilessa, M.I. Slipchenko. TelecomRadEng., 72 (17), 1575 (2013)
G.V. Kilessa, E.E. Asanov, S.A. Zuev, V.V. Starostenko, M.I. Slipchenko. TelecomRadEng., 73 (14), 1273 (2014)
Р. Хокни, Д. Иствуд. Численное моделирование методом частиц (М., Мир, 1987)
G.U. Jensen, B. Lund, T.A. Fjeldly, M. Shur. Comput. Phys. Commun., 67, 1 (1991)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель