Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c

Российский научный фонд, Физико-технические проблемы силовой импульсной полупроводниковой электроники нано и пикосекундного диапазона, 14-29-00094

Иванов П.А.

¹, Потапов А.С.

¹, Самсонова Т.П.

¹, Грехов И.В.

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru, potapov@mail.ioffe.ru, tpsam@mail.ioffe.ru, grekhov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 11 января 2016 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены измерения и анализ прямых вольт-амперных характеристик меза-эпитаксиальных 4H-SiC диодов Шоттки при высоких полях в базовой n-области (до 4·10⁵ В/см). Получена полуэмпирическая формула для полевой зависимости дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c. Насыщенная скорость дрейфа составляет (1.55±0.05)·10⁷ см/с при полях свыше 2·10⁵ В/см.

R. Mickevicius, J.H. Zhao. J. Appl. Phys., 83, 3161 (1998)
M. Hjelm, H.-E. Nilsson, A. Martinez, K.F. Brennan, E. Bellotti. 93, 1099 (2003)
A. Akturk, N. Goldsman, S. Potbhare, A. Lelis. J. Appl. Phys., 105, 033703 (2009)
I.A. Khan, J.A. Cooper. Mater. Sci. Forum, 338-- 342, 761 (2000)
I.A. Khan, J.A. Cooper. IEEE Trans. Electron Dev., 47, 269 (2000)
L. Ardaravicius, A. Matulionis, O. Kiprijanovic, J. Liberis, H.-Y. Cha, L.F. Eastman, M.G. Spencer. Appl. Phys. Lett., 86 ,022107 (2005)
K.V. Vassilevski, K. Zekentes, A.V. Zorenko, L.P. Romanov. IEEE Electron Dev. Lett., 21, 485 (2000)
V.I. Sankin, A.A. Lepneva. Mater. Sci. Forum, 338-- 342, 769 (2000)
В.И. Санкин, А.А. Лепнева. ФТП, 33, 586 (1999)
W.J. Schaffer, G.H. Negley, K. Irvine, J.W. Palmour. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 339, 595 (1994).
Properties of advanced semiconductor materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe., ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (John Willey \& Sons, Inc., 2001)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
П.А. Иванов, И.В. Грехов. ЖТФ, 85, 111 (2015)
П.А. Иванов, И.В. Грехов. ЖТФ, 86, 85 (2016).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель