Вышедшие номера
Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c
Российский научный фонд, Физико-технические проблемы силовой импульсной полупроводниковой электроники нано и пикосекундного диапазона, 14-29-00094
Иванов П.А. 1, Потапов А.С. 1, Самсонова Т.П. 1, Грехов И.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru, potapov@mail.ioffe.ru, tpsam@mail.ioffe.ru, grekhov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 января 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

Проведены измерения и анализ прямых вольт-амперных характеристик меза-эпитаксиальных 4H-SiC диодов Шоттки при высоких полях в базовой n-области (до 4·105 В/см). Получена полуэмпирическая формула для полевой зависимости дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c. Насыщенная скорость дрейфа составляет (1.55±0.05)·107 см/с при полях свыше 2·105 В/см.