Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние кулоновских корреляций на люминесценцию и поглощение в компенсированных полупроводниках
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: nikitabogoslovskiy@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
Рассчитаны спектры донорно-акцепторного поглощения света и люминесценции в слабо легированных и слабо компенсированных полупроводниках. При расчете фотолюминесценции рассмотрены два предельных случая большого и малого времени жизни носителей по сравнению со временем энергетической релаксации носителей. Показано, что в случае большого времени жизни спектр фотолюминесценции значительно сдвинут относительно спектра поглощения в длинноволновую область за счет релаксации неосновных носителей. В случае промежуточного времени жизни спектр фотолюминесценции состоит из двух пиков, что хорошо согласуется с экспериментальными данными.
- А.Г. Забродский. УФН, 168 (7), 804 (1998)
- W. Mason, S.V. Kravchenko, G.E. Bowker, J.E. Furneaux. Phys. Rev. B, 52, 7857 (1995)
- H. Yoshioka, T. Nakamura, T. Kimoto. J. Appl. Phys., 115, 014 502 (2014)
- T. Ferrus, R. George, C.H.W. Barnes, M. Pepper. Appl. Phys. Lett., 97, 142 108 (2010)
- V.Y. Butko, J.F. DiTusa, P.W. Adams. Phys. Rev. Lett., 84, 1543 (2000)
- T. Chen, B. Skinner, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. Lett., 109, 126 805 (2012)
- I.S. Burmistrov, I.V. Gornyi, A.D. Mirlin. Phys. Rev. B, 89, 035 430 (2014)
- Z. Klusek, P. Dabrowski, P. Kowalczyk, W. Kozlowski, W. Olejniczak, P. Blake, M. Szybowicz, T. Runka. Appl. Phys. Lett., 95, 113 114 (2009)
- А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133 (3), 427 (1981)
- В.В. Осипов, М.Г. Фойгель. ФТП, 10 (3), 522 (1976)
- Е.Л. Ивченко, Л.В. Такунов. ФТП, 10 (7), 1334 (1976)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос, И.Я. Янчев. Письма ЖЭТФ, 14 (5), 348 (1971)
- P.V. Petrov, Y.L. Iаnov, N.S. Averkiev, A.Y. Silov. Sol. St. Commun., 152 (24), 2185 (2012)
- V.V. Osipov, T.I. Soboleva M.G. Foigel. Soviet J. Exp. Theor. Phys., 48, 527 (1978)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- B. Skinner, T. Chen, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. B, 85, 205 316 (2012)
- A.L. Efros, B. Skinner, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. B, 84, 064 204 (2011)
- E. Hal Bogardus, H. Barry Bebb. Phys. Rew., 176 (3), 993 (1968)
- J.A. Rossi, C.M. Wolfe, J.O. Dimmock. Phys. Rev. Lett., 25 (23), 1614 (1970)
- P.W. Bohn, T.D. Harris, R. Bhat, H.M. Cox. Appl. Spectroscopy, 38 (3), 417 (1984)
- T. Nakanisi. J. Cryst. Growth, 68 (1), 282 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
