В туннельном микроскопе в режиме полевой эмиссии на выбираемых локально микрозернах поверхности антимонида и арсенида индия, арсенида галлия исследованы спектры плотности и параметры уровней электронных состояний. Методом соответствия вольт-амперных характеристик и формулы для вероятности эмиссии через уровни найдены значения энергии их активации (psi) и времени жизни (tau) электронов на них. Идентифицированы два типа уровней электронной локализации - в объеме (psi~ 0.75 эВ - n-InSb, ~1.15 эВ - n-InAs, ~1.59 эВ - n-GaAs; tau~10^-8-10^-7 с) и в приповерхностной зоне микрозерна i-InSb (psi~0.73, 1.33, 1.85, 2.15, 5.1 эВ; tau~ 5·10^-8-3·10^-7 с). Предложена физическая модель - локализация легких электронов за счет кулоновского взаимодействия и их размерное квантование, определяемые эффективной массой, энергией и концентрацией электронов, кривизной поверхности микрозерна.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.