Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности катодолюминесцентных спектров квантовых ям AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей

Кузнецова Я.В.¹, Жмерик В.Н.¹, Нечаев Д.В.¹, Кузнецов А.М.², Заморянская М.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: yana@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 9 декабря 2015 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы особенности спектров катодолюминесценции в гетероструктурах AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей, наблюдаемые при варьировании плотности возбуждения катодолюминесценции. Показано, что эволюция вида спектра катодолюминесценции и изменение спектрального положения полос излучения наноразмерных слоев при изменении плотности тока первичного электронного пучка позволяет идентифицировать присутствие фазового распада в слое, а в случае его отсутствия - оценить величину электрического поля в активной области структуры.

P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer. Nitride semiconductors: handbook on materials and devices (Wiley-VCH, Weinheim, 2003)
H. Lei, J. Chen, P. Ruterana. Appl. Phys. Lett., 96, 161 901, (2010)
N. Duxbury, U. Bangert, P. Dawson, E.J. Thrush, W. Van der Stricht, K. Jacobs, I. Moerman. Appl. Phys. Lett., 76, 1600 (2000)
F. Bertram, S. Srinivasan, L. Geng, F.A. Ponce, T. Riemann, J. Christen. Appl. Phys. Lett., 80 (19), 3524 (2002)
M.-H. Doan, J. Lee. Adv. Condens. Matter Phys., 2014, 67 210 (2014)
M.K. Horton, S. Rhode, S.-L. Sahonta, M.J. Kappers, S.J. Haigh, T.J. Pennycook, C.J. Humphreys, R.O. Dusane, M.A. Moram. Nano Lett., 15, 923 (2015)
M. Feneberg, K. Thonke. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 403 201 (2007)
O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, L.F. Eastman. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 3399 (2002)
J. Mickevicius, G. Tamulaitis, M. Shur, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 103, 011 906 (2013)
G. Tamulaitis, J. Mickevicius, J. Jurkevicius, M.S. Shur, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska. Physica B, 453, 40 (2014)
F. Rossi, G. Salviati, M. Pavesi, M. Manfredi, M. Meneghini, E. Zanoni, U. Zehnder. J. Appl. Phys., 103, 093 504 (2008)
T. Wang, T. Sugahara, S. Sakai, J. Orton. Appl. Phys. Lett., 74, 1376 (1999)
U. Jahn, S. Dhar, M. Ramsteiner, K. Fujiwara. Phys. Rev. B, 69, 115 323 (2004)
K.L. Bunker, R. Garcia, P.E. Russell. Appl. Phys. Lett., 86, 082 108 (2005)
Y.D. Jho, J.S. Yahng, E. Oh, D.S. Kim. Phys. Rev. B, 66, 035 334 (2002)
F. Rossi, G. Salviati, M. Pavesi, M. Manfredi, M. Meneghini, E. Zanoni, U. Zehnder. J. Appl. Phys., 103, 093 504 (2008)
T. Wang, T. Sugahara, S. Sakai, J. Orton. Appl. Phys. Lett., 74, 1376 (1999)
U. Jahn, S. Dhar, M. Ramsteiner, K. Fujiwara. Phys. Rev. B, 69, 115323 (2004)
K.L. Bunker, R. Garcia, P.E. Russell. Appl. Phys. Lett., 86, 082108 (2005)
Y.D. Jho, J.S. Yahng, E. Oh, D.S. Kim. Phys. Rev. B, 66, 035 334 (2002)
B.K. Ridley. Phys. Rev. B, 41, 12 190 (1990)
Ya.V. Kuznetsova, M.V. Baidakova, E.Yu. Flegontova, A.M. Kuznetsov, A.A. Sitnikova, M.V. Zamoryanskaya. Phys. Status Solidi A, 208 (4), 749 (2011)
E.A. Shevchenko, V.N. Jmerik, A.M. Mizerov, A.A. Sitnikova, S.V. Ivanov, A.A. Toropov. Semiconductors, 46 (8), 998 (2012)
M.V. Zamoryanskaya, S.G. Konnikov, et al. Instruments, Experimental Techniques, 47 (4), 477 (2004)
M.R. Phillips. Microchimica Acta, 155 (1), 51 (2006)
K.G. Belyaev, M.V. Rakhlin, V.N. Jmerik, A.M. Mizerov, Ya.V., M.V. Zamoryanskaya, S.V. Ivanov, A.A. Toropov. Phys. Status Solidi C, 10 (3), 527 (2013)
K.A. Bulashevich, S.Yu. Karpov, R.A. Suris. Phys. Status Solidi B, 243 (7), 1625 (2006)
O. Ambacher. J. Phys. D: Appl. Phys., 31, 2653 (1998)
F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. B, 64, 085 207 (2001)
P. Harrison. Quantum Wells, Wires and Dots: Theoretical and Computational Physics of Semiconductor Nanostructures (John Wiley \& Sons, 3rd edn, 2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель