Вышедшие номера
Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ
Романов В.В.1, Дементьев П.А.1, Моисеев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mkd@iropt2.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 10 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

-1 Квантовые точки (7-9)·109 см-2 InSb были получены на подложке InAs(001) методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при температуре T=440oС. Эпитаксиальное осаждение происходило одновременно на бинарную матрицу InAs и матричный слой четверного твердого раствора InAsSbP, изопериодного по параметру решетки с подложкой InAs. Трансформация формы и размеров квантовых точек InSb наблюдалась в зависимости от химического состава рабочей поверхности матрицы, на которую происходило наращивание. Использование многокомпонентного матричного слоя дает возможность управлять параметром постоянной решетки матрицы и деформацией системы при образовании самообразующихся квантовых точек.