Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электромагнитное излучение электронов в гофрированном графене
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: ktitorov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 января 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.
Проанализировано тормозное электромагнитное излучение в гофрированном монослойном графене в присутствии транспортного тока в баллистическом режиме. Излучение подобной природы наблюдается в ондуляторе и вигглере. Рассмотрены случаи регулярной и хаотической гофрировки (ripples). Показано, что квадратичное соотношение монжевской мембранной функции и синтетического калибровочного поля ведет к появлению центрального пика спектральной функции излучения. Предложены возможные механизмы образования гофрировки монослойного графена. В первом из них гофрировка рассматривается как несоразмерная сверхструктура в двумерном кристалле, возникающая в результате развития неустойчивости в подсистеме оптических фононов с образованием периодической последовательности солитонов. Гофрировка возникает в результате взаимодействия подсистем. Другой возможный механизм состоит в неустойчивости плоского состояния мембраны благодаря сильным флуктуациям, характерным для двумерных систем.
- M.A.H. Vozmediano, M.I. Katsnelson, F. Guinea. Phys. Reports, 496, 1 (2010)
- N.D. Mermin, H. Wagner. Phys. Rev. Lett., 17, 1133 (1966)
- D. Nelson, T. Piran, S. Weinberg. Statistical Mechanics of Membranes Surfaces (World Scientific, New Jersey, 2004) с. 137
- K. Tantiwanichapan, J. DiMaria, S.N. Melo. Nanotechnology, 24, 375 205 (2013)
- H. Motz. J. Appl. Phys., 22, 527 (1951)
- A.S. Mayorov, R.V. Gorbachev, S.V. Morozov et al. e-print arxiv 1103.4510 (2011)
- T. Zhan, D. Han, X. Hu, X. Liu, S.-T. Chui, J. Zi. Phys. Rev. B, 89, 245 434 (2014)
- I. Llatser, C. Kremers, D.N. Chigrin, J.M. Jornet, M.C. Lemme, A. Cabellos-Aparicio, E. Alarcon. Radioengineering, 21, 946 (2012)
- Д.Ф. Алферов, Ю.А. Башмаков, П.А. Черенков. УФН, 157, 389 (1989)
- A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81, 109 (2009)
- U. Zulicke, R. Winkler, J. Bolte. Physica E, 40, 1434 (2008)
- R.L. Stratonovich. Topics in the theory of random noise (Gordon and Breach Science Publishers, N. Y.-London, 1963) p. 216
- F. Guinea, Baruch Horovitz, P. Le Doussal. Phys. Rev. B, 77, 205 421 (2008)
- R. Combe, M. Feix. Comt. Rend., 237, 1318 (1953)
- Л.А. Чернов. Волны в случайно неоднородных средах (М., Наука, 1975) с. 9
- Ю.А. Изюмов, В.Н. Сыромятников. Фазовые переходы и симметрия кристаллов (М., Наука, 1984) с. 182
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
