Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оценка эффективности введения пористого слоя в подложку структур кремний-на-сапфире для повышения надежности приборов при облучении
Александров П.А.
1, Баранова Е.К.
1, Бударагин В.В.
1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
Email: Alexandrov_PA@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 23 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.
Рассмотрена эффективность введения пористого слоя, создаваемого в подложке структуры кремний-на-сапфире методом ионной имплантации ионов Не с целью повышения радиационной стойкости приборов. Проведен анализ свойств введенного слоя и его параметров, влияющих на снижение концентрации генерируемых облучением неосновных носителей заряда. Представленные результаты аналитического анализа и расчетов могут быть использованы для оптимизации режимов имплантации ионов Не при создании пористого слоя.
- R.A. Kjar, J. Peel. IEEE NS, 21 (6), 8 (1974)
- П.А. Александров, Н.Е. Белова, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов. ФТП, 49 (9), 1124 (2015)
- M.A. Huis, A. van Veen, F. Labohm, A.V. Fedorov, A. Schut, B.I. Kooi, I.Th.M. De Hosson. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 216 (1), 149 (2004)
- В.К. Киселев, С.В. Оболенский, В.Д. Скупов. ЖТФ, 69 (6), 129 (1999)
- Yu.V. Martynenko. Rad. Eff., 45 (1), 93 (1979)
- В.К. Капышев, В.В. Старых. ДАН СССР, 230 (4), 830 (1976)
- П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1969) гл. 6, с. 476
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
